[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块有效
| 申请号: | 201780036759.7 | 申请日: | 2017-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN109314152B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 小西克典;中野邦裕;河崎勇人;吉河训太 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
| 主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 以及 模块 | ||
太阳能电池单元(10)具备半导体基板(11)、配置于半导体基板(11)的一侧主面上的第1导电型层(12)和第2导电型层(13),其中,在第1导电型层(12)上配置有第1电极(17),在第2导电层(13)上配置有第2电极(18),第1电极(17)与第2电极(18)电分离,在第1电极(17)与第2电极(18)之间配置有岛状的导电层(16)。
技术领域
本发明涉及太阳能电池及其制造方法以及具备该太阳能电池的太阳能电池模块。
背景技术
使用半导体基板的太阳能电池因光电转换效率高,已经作为太阳光发电系统被广泛实用化。而且,为了高效地导出电流,实用化的很多太阳能电池是在接收太阳光的受光面侧和与受光面侧相反的背面侧分别形成有电极的双面电极型的太阳能电池。更具体而言,双面电极型的太阳能电池在半导体基板的两面分别具备电极,从受光面获取太阳光,在内部产生电子空穴对,通过两面的电极导出电流。
但是,在这样的双面电极型的太阳能电池中,为了高效地导出电流而在受光面侧也形成有电极,所以受光面侧的电极遮挡太阳光,存在使光电转换效率下降的问题。因此,提出了在半导体基板的背面侧形成p型半导体层和n型半导体层,在这些半导体层上形成电极的背面电极型的太阳能电池。在这样的背面电极型的太阳能电池中,不需要在受光面侧形成电极,因此能够提高太阳光的受光率,可实现更高的光电转换效率。
然而,在背面电极型的太阳能电池中,需要在半导体基板的背面侧形成p型半导体层和n型半导体层,进一步在p型半导体层和n型半导体层上分别形成电极。由此,背面电极型的太阳能电池的制作方法复杂,有时在太阳能电池的制作中途导致太阳能电池的性能下降,需要充分研究太阳能电池的结构和制作方法。
例如,在专利文献1中,作为背面电极型的太阳能电池的制作方法,提出了将多个导电区域进行电连接,利用镀覆法形成收集电极,最终在多个导电区域之间设置分离槽,将收集电极进行电分离的方法。另外,在专利文献1中,通过将制作分离槽时露出的部分用绝缘层被覆,能够抑制分离槽周边的裂纹等的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-108994号公报
发明内容
然而,发现如果使用专利文献1所记载那样具备分离槽的太阳能电池制作太阳能电池模块,则在分离槽周边载流子的寿命下降。认为这是因制作太阳能电池模块时使用的封装材料在分离槽周边直接或者介由绝缘层而与半导体导电层接触,由此封装材料中的杂质扩散到半导体导电层,在半导体导电层间产生漏电流的结果导致的。
本发明解决了上述问题,提供一种抑制了背面电极型的太阳能电池中载流子的寿命下降且改善了开路电压和填充因子的太阳能电池及其制造方法以及具备该太阳能电池的太阳能电池模块。
本发明的太阳能电池的特征在于,包括半导体基板以及配置于上述半导体基板的一侧主面上的第1导电型层(conductivity-type layer)和第2导电型层,其中,在上述第1导电型层上配置有第1电极,在上述第2导电型层上配置有第2电极,上述第1电极与上述第2电极电分离,在上述第1电极与上述第2电极之间配置有岛状的导电层。
本发明的太阳能电池模块的特征在于,是包括多个上述本发明的太阳能电池的太阳能电池模块,其包括覆盖上述太阳能电池的封装层、配线部、受光面保护层和背面保护层。
本发明的太阳能电池的制造方法的特征在于,包括下述工序:导电型层形成工序,在半导体基板的一侧主面上形成第1导电型层和第2导电型层;以及,电极形成工序,在上述第1导电型层上形成第1电极,在上述第2导电型层上形成第2电极;并且,在上述电极形成工序中,在上述第1电极与上述第2电极之间形成岛状的导电层。
根据本发明,能够提供开路电压和填充因子得到改善的太阳能电池和太阳能电池模块。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化,未经株式会社钟化许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780036759.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





