[发明专利]制造以相对装置特征旋转角度定向的计量标靶系统及方法有效
| 申请号: | 201780032762.1 | 申请日: | 2017-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN109196630B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
| 发明(设计)人: | 李明俊;M·D·史密斯 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 相对 装置 特征 旋转 角度 定向 计量 系统 方法 | ||
1.一种光刻系统,其包括:
照明源,其包含围绕所述光刻系统的光学轴对称分布的两个照明极点,其中所述两个照明极点沿着第一方向分离;
图案掩模,其经定位以从所述照明源接收照明,其中所述图案掩模包含计量标靶图案掩模及多个装置图案掩模元素,其中所述装置图案掩模元素的至少一部分沿着所述第一方向分布且按第一衍射分布衍射来自所述两个照明极点的照明,其中所述计量标靶图案掩模包含沿着所述第一方向分布的一组计量标靶图案掩模元素,其中所述一组计量标靶图案掩模元素按第二衍射分布衍射来自所述两个照明极点的照明,其中所述第二衍射分布在选定精度内对应于所述第一衍射分布;及
一组投影光学器件,其利用通过所述图案掩模衍射的来自所述两个照明极点的照明将所述图案掩模成像到样本上,其中可沿着不同于所述第一方向的第二方向测量在所述样本上产生的与所述计量标靶图案掩模的图像相关联的计量标靶的一或多个印刷特性。
2.根据权利要求1所述的光刻系统,其中所述一或多个印刷特性包括:
所述样本上的图案放置、重叠、临界尺寸或侧壁角度中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的光刻系统,其中所述计量标靶图案掩模沿着所述第二方向分段,其中所述计量标靶图案掩模包含在至少两个相邻分段之间的一或多个亚分辨率区域。
4.根据权利要求3所述的光刻系统,其中所述亚分辨率区域包含小于所述一组投影光学器件的光学分辨率的一或多个特征,使得通过所述一组投影光学器件在所述样本上成像的所述样本上的所述计量标靶不包含所述亚分辨率区域内的所述计量标靶图案掩模元素的部分。
5.根据权利要求3所述的光刻系统,其中沿着所述第一方向测量的所述亚分辨率区域内的所述计量标靶图案掩模元素的部分的宽度小于所述一组投影光学器件的光学分辨率,其中通过所述一组投影光学器件在所述样本上成像的所述计量标靶不包含所述亚分辨率区域内的计量标靶图案掩模分段的部分。
6.根据权利要求1所述的光刻系统,其中所述计量标靶图案掩模经分段以包含沿着所述第二方向分布的一或多个特征。
7.根据权利要求6所述的光刻系统,其中所述计量标靶图案掩模元素的分段沿着所述第二方向分离达标靶分离距离。
8.根据权利要求7所述的光刻系统,其中所述标靶分离距离小于所述计量标靶图案元素的所述分段沿着所述第二方向的长度。
9.根据权利要求1所述的光刻系统,其中所述图案掩模是明场图案掩模或暗场图案掩模中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的光刻系统,其中所述第一方向与所述第二方向之间的角度小于90度。
11.根据权利要求1所述的光刻系统,其中所述一组计量标靶图案掩模元素经配置以按与所述第一衍射分布相同的所述第二衍射分布衍射来自所述两个照明极点的照明。
12.一种光刻系统,其包括:
照明源,其包含围绕所述光刻系统的光学轴对称分布的两个照明极点,其中所述两个照明极点沿着第一方向分离;
图案掩模,其经定位以从所述照明源接收照明,其中所述图案掩模包含计量标靶图案掩模及多个装置图案掩模元素,其中所述装置图案掩模元素的至少一部分按装置分离距离沿着所述第一方向分布,其中所述计量标靶图案掩模包含按所述装置分离距离沿着所述第一方向分布的一组计量标靶图案掩模元素;及
一组投影光学器件,其将所述图案掩模成像到样本上,其中可沿着不同于所述第一方向的第二方向测量在所述样本上产生的与所述计量标靶图案掩模的图像相关联的计量标靶的一或多个印刷特性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





