[发明专利]用于确定结构的特性的方法和装置、器件制造方法

权利要求书

1.一种确定结构的特性的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)限定一个或多个可变参数以表示所述结构，所述可变参数包括至少一个感兴趣参数；

(b)接收通过用检查辐射将所述结构曝光一次或多次、并且在与所述结构交互之后观察所述检查辐射而得到的观察数据；以及

(c)基于所述观察数据，确定所述感兴趣参数的值作为所述结构的特性，

其中考虑在曝光周期期间由所述检查辐射引起的所述结构中的改变来执行所述感兴趣参数的确定，

并且其中所述至少一个感兴趣参数是从在与所述结构交互之后在所述检查辐射中观察到的不对称中测量得到的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述可变参数包括一个或多个时间相关参数，所述一个或多个时间相关参数表示在所述曝光周期期间由所述检查辐射引起的所述结构中的所述改变。

3.根据权利要求2所述的方法，其中步骤(c)进一步包括：确定所述一个或多个时间相关参数的值。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中至少一个所述时间相关参数表示在所述结构的一部分中由检查辐射引起的尺寸改变。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其中至少一个所述时间相关参数表示所述结构的一部分中由检查辐射引起的光学特性的改变。

6.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)考虑所述检查辐射的强度与所述曝光周期的持续时间的组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述观察数据表示在所述曝光周期内累积的所述检查辐射与所述结构的交互。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述观察数据表示所述检查辐射在曝光周期的多个子周期内分别与所述结构的交互。

9.根据权利要求1所述的方法，其中考虑在与相同结构的先前观察相关的曝光周期期间由所述检查辐射引起的所述结构中的改变，来执行所述感兴趣参数的确定。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在半导体器件旁边或者作为半导体器件的一部分，通过光刻制造所述结构。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(c)中，基于从不同结构得到的真实和/或仿真观察数据，使用机器学习至少部分地确定所述感兴趣参数。

12.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)包括：

(c1)利用所述可变参数的给定集合的值来仿真所述检查辐射与所述结构的交互；

(c2)将步骤(c1)中仿真的所述交互与所述观察数据进行比较；

(c3)基于所述比较的结果改变所述结构的一个或多个参数；

(c4)使用所改变的参数重复步骤(c1)；以及

(c5)在步骤(c1)至(c4)的多次迭代之后，报告所述感兴趣参数的值。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述检查 辐射具有短于400nm的波长。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述检查 辐射具有短于100nm的波长。

15.一种用于确定结构的特性的处理装置，所述处理装置包括：

-用于表示所述结构的一个或多个可变参数的存储器，所述可变参数包括至少一个感兴趣参数；

-用于接收通过用检查辐射将所述结构曝光一次或多次、并且在与所述结构交互之后观察所述检查辐射而得到的观察数据的存储器；以及

-处理器，被布置为考虑在曝光周期期间由所述检查辐射引起的所述结构中的改变，使用所述观察数据来确定所述感兴趣参数的值作为所述结构的特性，

其中所述至少一个感兴趣参数是从在与所述结构交互之后在所述检查辐射中观察到的不对称中测量得到的。