[发明专利]具有存储组件隔离的存储器单元感测

说明书

本申请案涉及用于通过存储组件隔离来感测的存储器单元的方法及设备。描述用于操作铁电存储器单元的方法、系统及装置。使用与铁电存储器单元的感测放大器及铁电电容器电子通信的选择组件来选择铁电存储器单元。经施加到所述铁电电容器的电压可经定大小以增大在读取操作期间感测的信号。在所述读取操作期间可将所述铁电电容器与所述感测放大器隔离。此隔离可避免加应力于所述铁电电容器，此原本可归因于所述施加的读取电压及在所述读取操作期间由所述感测放大器引入的电压而发生。

交叉参考

本专利申请案主张2017年3月2日申请的标题为“具有存储组件隔离的存储器单元感测(Memory Cell Sensing with Storage Component Isolation)”的第PCT/US2017/020687号PCT申请案的优先权，所述申请案主张2016年3月11日申请的维摩卡迪(Vimercati)的标题为“具有存储组件隔离的存储器单元感测(Memory Cell Sensing withStorage Component Isolation)”的第15/067,954号美国专利申请案的优先权；所述申请案转让给其受让人且所述申请案中的每一者以全文引用方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及具有存储组件隔离的存储器单元感测。

背景技术

存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。例如，二进制装置具有两个状态，其通常通过逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置可读取(或感测)存储器装置中的存储状态。为存储信息，电子装置可将状态写入(或编程)于存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器等等。存储器装置可为易失性或非易失性。非易失性存储器(例如，快闪存储器)可甚至在不存在外部电源的情况下存储数据达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其存储状态，除非其通过外部电源周期性刷新。二进制存储器装置可(例如)包含充电或放电电容器。充电电容器可随时间变得通过泄漏电流放电，导致存储信息的丢失。易失性存储器的特定方面可提供性能优势，例如更快的读取或写入速度，而非易失性存储器的方面(例如在无周期性刷新的情况下存储数据的能力)可为有利的。

FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但可归因于使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性性质。因此，相较于其它非易失性及易失性存储器装置，FeRAM装置可具有改进性能。可通过增加从用于FeRAM阵列中的电容器提取的信号而进一步改进FeRAM性能。但增加从电容器提取的信号可加应力于电容器(例如，经由过量充电)，此可损害FeRAM。

发明内容

在一个实例中，一种操作铁电存储器单元的方法包括：使用与所述铁电存储器单元的铁电电容器电子通信的选择组件来选择所述铁电存储器单元；将所述铁电存储器单元的所述铁电电容器与与所述选择组件电子通信的感测放大器隔离；以及在所述铁电电容器与所述感测放大器隔离时激活所述感测放大器。

在一个实例中，一种操作包括铁电电容器及选择组件的铁电存储器单元的方法包括：施加电压到所述选择组件的字线，其中所述选择组件与所述铁电电容器及感测放大器电子通信；降低所述字线的所述电压，其中至少部分基于所述字线的所述电压的所述降低而将所述铁电电容器与所述感测放大器隔离；及当隔离所述铁电电容器时比较所述感测放大器的电压与参考电压。