[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池在审
申请号: | 201780010620.5 | 申请日: | 2017-02-02 |
公开(公告)号: | CN108701735A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | W·古特;C·佩珀 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0304 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国海*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带隙 电池 多结太阳能电池 堆叠状 隧道二极管 发射极 射束 | ||
1.一种堆叠状的多结太阳能电池(MS),其包括:
第一部分电池(SC1a),其具有第一带隙(Eg1a)和第一厚度(SD1a),
另外的第一部分电池(SC1b),其具有另外的第一带隙(Eg1b)和另外的第一厚度(SD1b),其中,
所述部分电池(SC1a,SC1b)中的每个具有发射极和基极,并且在所述部分电池(SC1a,SC1b)之间构造有隧道二极管(TD),其中,光射束在进入所述另外的第一部分电池(SC1b)之前进入所述第一部分电池(SC1a),并且
所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.1eV,或所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.07eV,或所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.04eV,或所述第一带隙(Eg1a)比所述另外的第一带隙(Eg1b)大至多0.02eV,或所述第一带隙(Eg1a)与所述另外的第一带隙(Eg1b)一样大,并且
设置第二部分电池(SC2a)和第三部分电池(SC3a),
其特征在于,
在所述第三部分电池(SC3a,SC3b)与所述第二部分电池(SD2a,SC2b)之间构造有变质缓冲层,并且所述第二部分电池(SC2a)或所述第三部分电池(SC3a)包括(Al)InGaAs化合物,并且包括所述(Al)InGaAs化合物的第二或第三部分电池具有另外的部分电池。
2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,所述第一厚度(SD1a)与所述另外的第一厚度(SD1b)相差至少80%或相差至少50%或相差至少20%,或所述两个厚度(SD1a,SD1b)相同。
3.根据权利要求1或2所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,所述第二部分电池(SC2a)具有第二带隙(Eg2a)和第二厚度(SD2a),并且所述第二带隙(Eg2a)比所述第一带隙(Eg1a)小或者大至少0.7eV或至少0.4eV或至少0.2eV。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,设置另外的第二部分电池(SC2b),并且所述另外的第二部分电池(SC2b)具有另外的第二带隙(Eg2b)和另外的第二厚度(SD2b),并且所述另外的第二带隙(Eg2b)与所述第二带隙(Eg2a)相差至多0.1eV或相差至多0.07eV、相差至多0.04eV或相差至多0.02eV,或所述第二带隙(Eg2a)与所述另外的第二带隙(Eg2b)一样大。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,所述第二厚度(SD2a)与所述另外的第二厚度(SD2b)相差至少80%或相差至少50%或相差至少20%,或所述两个厚度(SD2a,SD2b)相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,所述第三部分电池具有第三带隙(Eg3a)和第三厚度(SD3a),并且所述第三带隙(Eg3a)比所述第一带隙(Eg2a)小或大至少0.7eV或至少0.4eV或至少0.2eV。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,设置另外的第三部分电池(SC3b),并且所述另外的第三部分电池(SC3b)具有另外的第三带隙(Eg3b)和另外的第三厚度(SC3b),并且所述另外的第三带隙(Eg3b)与所述第三带隙(Eg3a)相差至多0.1eV或相差至多0.07eV、相差至多0.04eV或相差至多0.02eV,或所述第三带隙(Eg3a)与所述另外的第三带隙(Eg3b)一样大。
8.根据权利要求6或权利要求7所述的多结太阳能电池(MS),其特征在于,所述第三厚度(SD3a)与所述另外的第三厚度(SD3b)相差至少80%或相差至少50%或相差至少20%,或所述两个厚度(SD3a,SD3b)相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的