[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

在向旋转的基板(9)的上表面(91)依次供给纯水、混合液和有机溶剂之后，借助基板(9)的旋转来去除上表面(91)上的有机溶剂。混合液通过将表面张力小于纯水的有机溶剂和纯水混合而生成且温度高于常温。通过向提供了纯水的上表面(91)供给溶解于纯水的溶解性高于有机溶剂的混合液，在混合液与纯水的边界上，难以发生上表面(91)的局部干燥，从而抑制图案要素倒塌。通过温度高于常温的混合液使基板(9)升温，能够使基板(9)在短时间内干燥，从而能够缩短干燥相关的处理所需的时间。

技术领域

本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀图案的基板供给处理液，对基板表面进行蚀刻等处理。在供给药液之后，还进行通过向基板供给纯水去除表面的药液的冲洗处理、通过高速旋转基板来去除表面的纯水的干燥处理。

在干燥基板时，还进行由表面张力小于纯水的有机溶剂(IPA：异丙醇等)取代基板上的纯水的处理。由此，防止了在干燥处理中由纯水的表面张力引起基板上的图案要素倒塌。例如在日本专利第5114252号公报(文献1)中公开了如下方法：在基板上形成纯水的液膜，并且由表面张力小于纯水的低表面张力溶剂取代基板上的纯水之后，将该低表面张力溶剂从基板表面去除使基板表面干燥。

另外，在日本专利第4767767号公报(文献2)的装置中进行以下处理：接着用纯水进行的基板的清洗处理，向基板的主表面供给干燥前处理液，用干燥前处理液取代残留于该主表面的纯水，之后去除干燥前处理液使基板干燥。干燥前处理液是含有纯水和挥发性高于纯水的有机溶剂的混合液，并在向基板供给混合液的过程中，使混合液中的有机溶剂的比例增加。在日本专利第5139844号公报(文献3)中公开了如下方法：与向附着有冲洗液的基板表面供给常温的低表面张力液体的处理并行地，向基板的背面供给高温的温水，从而使基板表面上的低表面张力液体的温度上升。在该方法中，能够提高基板表面上的冲洗液和低表面张力液体的取代效率，并能够从基板的表面良好地去除冲洗液。

但是，如文献1那样，在基板上形成纯水的液膜的情况下，由于需要将基板的转速降低的状态保持恒定时间，因此，从冲洗处理后到基板的干燥完成为止的干燥相关处理所需的时间变长。另一方面，如文献3那样，若在用纯水进行冲洗处理后不形成纯水的液膜而向主表面直接供给低表面张力液体(IPA)，则根据图案要素的形状、大小、配置等，会有图案要素倒塌的情况。在文献2的装置中，干燥前处理液的去除(基板的干燥)也需要恒定时间。因此，需要一种抑制图案要素倒塌，并且缩短干燥相关处理所需的时间的方法。

发明内容

本发明面向一种基板处理装置，其目的在于，能够抑制图案要素倒塌，并且缩短干燥相关处理所需的时间。

本发明的基板处理装置具有：基板保持部，保持基板；基板旋转机构，使所述基板保持部和所述基板一起旋转；纯水供给部，向所述基板的朝向上方的主表面供给纯水；混合液供给部，向所述主表面供给通过将表面张力小于纯水的有机溶剂和纯水混合而生成且温度高于常温的混合液；有机溶剂供给部，向所述主表面供给所述有机溶剂；以及控制部，在使所述纯水供给部、所述混合液供给部和所述有机溶剂供给部向通过所述基板旋转机构进行旋转的所述基板的所述主表面依次供给所述纯水、所述混合液和所述有机溶剂之后，通过所述基板的旋转去除所述主表面上的所述有机溶剂。

根据本发明，能够抑制图案要素的倒塌并能够缩短干燥相关的处理所需的时间。

在本发明的一个优选的实施方式中，所述混合液通过将常温的有机溶剂和加热的纯水混合而生成。

此时，优选地，所述混合液中的所述有机溶剂浓度为50vol％以下。