[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201780009904.2 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN108604547B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 高木康弘;梅野慎一;永井高志;守田寿;绪方信博;高松祐助;东岛治郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
贮存容器,其用于贮存第一处理液;
基板处理部,其通过将第二处理液与从所述贮存容器供给的所述第一处理液的混合液向基板供给来对所述基板进行处理;
回收路径,其用于使供给到所述基板处理部的混合液返回到所述贮存容器;
废弃路径,其用于将所供给的所述混合液废弃到所述贮存容器以外的场所;
供给路径,其用于将所述第一处理液供给到所述贮存容器;
切换部,其使所供给的所述混合液的流入目的地在所述回收路径与所述废弃路径之间切换;
切换控制部,其对所述切换部进行控制,使得在从所述基板处理部开始向所述基板供给所述混合液起到第一时间经过为止的期间,使所供给的所述混合液向所述废弃路径流入,在所述第一时间经过后且到基于预先决定的回收率决定的第二时间经过为止的期间,使所供给的所述混合液向所述回收路径流入,在从所述第二时间经过起到所述混合液的供给结束为止的期间,使所供给的所述混合液向所述废弃路径流入。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
循环路径,其用于取出所述贮存容器中贮存的所述第一处理液并使其返回到所述贮存容器;
分支路径,其与所述循环路径连接,用于将在所述循环路径中流动的所述第一处理液供给到所述基板处理部;以及
分隔构件,其配置成与所述贮存容器的侧壁之间隔开间隙,并将所述贮存容器内上下分隔,
所述循环路径的用于取出所述贮存容器内的第一处理液的取出口配置于所述分隔构件的下方,所述循环路径的用于将从所述取出口取出的第一处理液向所述分隔构件喷出的返回口配置于所述分隔构件的上方。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
加热部,其对向所述基板处理部供给的所述第一处理液进行加热;
浓度信息获取部,其获取向所述基板处理部供给的所述第一处理液的浓度信息;以及
温度控制部,其根据由所述浓度信息获取部获取到的浓度信息,来控制所述加热部对所述第一处理液进行加热的加热温度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述浓度信息获取部获取使用了所述混合液的所述基板的处理张数来作为所述浓度信息。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述浓度信息获取部获取所述贮存容器中贮存的液体的比重来作为所述浓度信息。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述供给路径向所述贮存容器补充具有如下浓度的第一处理液,该浓度为被回收并贮存于所述贮存容器的所述第一处理液的浓度以上的浓度,
所述回收率是使所述贮存容器中贮存的第一处理液的浓度维持为浓度下限值的回收率,该浓度下限值是作为使用所述混合液的处理所需的所述第一处理液的浓度的下限值而设定的。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备补充控制部,该补充控制部经由所述供给路径向所述贮存容器补充与所述贮存容器中贮存的第一处理液的初始浓度相同浓度且与所述贮存容器内的液体的减少量相同量的所述第一处理液。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一处理液是硫酸,
所述第二处理液是双氧水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造