[发明专利]在高温过程应用中用于获取测量参数的经检测衬底设备

说明书

一种设备包含：衬底；嵌套式壳体组合件，其包含外部壳体及内部壳体，其中所述外部壳体围封所述内部壳体且所述内部壳体至少围封电子组合件。绝缘介质安置于所述内部壳体的外部表面与所述外部壳体的内部表面之间的腔内，且系统包含通信地耦合到所述电子组合件的传感器组合件。所述传感器组合件包含经配置以在所述衬底的一或多个位置处获取一或多个测量参数的一或多个传感器。所述电子组合件经配置以从所述一或多个传感器接收所述一或多个测量参数。

相关申请案的交叉参考

本申请案依据35U.S.C.§119(e)主张于2016年2月2日提出申请的指定孙梅(MeiSun)及瓦霍维沙尔(Vaibhaw Vishal)为发明人的标题为用于测量外延室中的温度的基于嵌套模块的经检测晶片组合件设计(NESTED MODULE BASED INSTRUMENTED WAFERASSEMBLY DESIGN FOR MEASURING TEMPERATURE IN EPITAXY CHAMBER)的序列号为62/290,153的美国临时专利申请案的优先权，所述美国临时专利申请案以全文引用方式并入本文中。

技术领域

本发明一般来说涉及沿着半导体处理线监测晶片，且特定来说涉及允许在高温下操作的多级嵌套式壳体组合件。

背景技术

随着对半导体装置处理环境中的过程条件的容限继续变小，对经改善过程监测系统的要求继续增加。处理系统(例如，外延室)内的热均匀性是一项此类条件。当前方法无法在不污染相关联室的情况下在当前处理技术需要的极端条件(例如，高温)下监测温度。因此，将期望提供一种用以允许使用经检测晶片进行的高温测量来监测半导体装置处理线的状况的系统及方法。

发明内容

揭示一种根据本发明的一或多个实施例的在高温过程应用中用于获取测量参数的设备。在一个实施例中，所述设备包含衬底。在另一实施例中，所述设备包含包括外部壳体及内部壳体的嵌套式壳体组合件。在另一实施例中，所述外部壳体围封所述内部壳体。在另一实施例中，所述内部壳体围封电子组合件。在另一实施例中，绝缘介质安置于所述内部壳体的外部表面与所述外部壳体的内部表面之间的腔内。在另一实施例中，所述设备包含通信地耦合到所述电子组合件的传感器组合件。在另一实施例中，所述传感器组合件包含一或多个传感器。在另一实施例中，所述一或多个传感器安置于所述衬底的一或多个位置处。在另一实施例中，所述一或多个传感器经配置以在所述衬底的所述一或多个位置处获取一或多个测量参数。在另一实施例中，所述电子组合件经配置以从所述一或多个传感器接收所述一或多个测量参数。

揭示一种根据本发明的一或多个实施例的在高温过程应用中用于获取测量参数的方法。在一个实施例中，所述方法包含利用安置于嵌套式壳体组合件内的电子组合件从多个传感器获取多个测量参数，所述多个传感器跨越衬底安置于多个位置处。在另一实施例中，所述嵌套式壳体组合件包含外部壳体及内部壳体。在另一实施例中，所述外部壳体围封所述内部壳体。在另一实施例中，所述内部壳体至少围封所述电子组合件。在另一实施例中，所述方法包含利用安置于所述嵌套式壳体组合件内的所述电子组合件存储所述多个测量参数。

应理解，前述大体说明及以下详细说明两者均仅是示范性及解释性且不必限制所请求的本发明。并入本说明书中并构成本说明书的一部分的所附图式图解说明本发明的实施例，并与所述大体说明一起用于阐释本发明的原理。

附图说明

所属领域的技术人员可通过参考附图较佳地理解本发明的众多优点，其中：

图1A是根据本发明的一或多个实施例的配备有嵌套式壳体组合件的经检测衬底设备的俯视图。

图1B到1D是根据本发明的一或多个实施例的嵌套式壳体组合件的横截面图。

图1E是根据本发明的一或多个实施例的包含经检测衬底设备的处理室的框图。