[发明专利]表面处理铜箔及使用其制造而成的覆铜层叠板

说明书

本发明提供一种表面处理铜箔及使用其制造而成的覆铜层叠板，其确保与绝缘基板的充分的密接性且兼具高度的回流耐热性与传输特性。本发明的表面处理铜箔在铜箔基体(110)上设置粗面化层(120)而成，其特征在于，该粗面化层(120)通过粗化粒子而形成有凹凸表面，在与该铜箔基体面正交的剖面，沿所述粗面化层(120)的凹凸表面而测定的沿面长度(Da)相对于沿所述铜箔基体面而测定的沿面长度(Db)之比(Da/Db)处于1.05至4.00倍的范围，且所述凹凸表面的凹凸的平均高低差(H)处于0.2至1.3μm的范围，进而在所述粗面化层(120)上直接地或介隔中间层地具有以0.0003至0.0300mg/dm²的硅烷附着量而形成的硅烷偶联剂层。

技术领域

本发明涉及一种确保与绝缘基板的充分的密接性且兼具高度的回流耐热性与传输特性的表面处理铜箔以及使用其制造而成的覆铜层叠板。

背景技术

近年来，伴随着电脑及信息通信设备的高性能化及高功能化以及网络化的发展，存在信号日益高频化以对大容量的信息进行高速传输处理的倾向。此种信息通信设备使用覆铜层叠板。覆铜层叠板通过对绝缘基板(树脂基板)与铜箔进行加热及加压来制作。一般而言，构成支持高频的覆铜层叠板的绝缘基板必须使用介电特性优异的树脂，然而相对介电常数及介电损耗角正切低的树脂存在以下倾向：有助于与铜箔粘接的极性高的官能团少而使与铜箔的粘接特性下降。

另外，对作为支持高频的覆铜层叠板所使用的导电层的铜箔，期望尽可能减小其表面粗糙度。要求此种铜箔的低轮廓化的原因在于，伴随着高频化，电流会集中流动于铜箔的表面部分，从而存在铜箔的表面粗糙度越大传输损耗越大的倾向。

为了改善构成覆铜层叠板的铜箔对绝缘基板的密接性，一般在铜箔基体上形成具有微细的凹凸表面(以下简称为凹凸表面)的粗面化层，所述凹凸表面利用粗化粒子的电析来形成，从而通过物理效应(锚固效应)来提高密接力。若增大凹凸表面的高低差(表面粗糙度)则密接力会提高，但传输损耗会由于所述原因而增加。尽管如此，现状中仍优先使铜箔基体上形成的粗面化层的表面为凹凸表面以确保密接力，并容许因形成凹凸表面而导致的一定程度的传输损耗的下降。然而，最近正在进行支持频率为20GHz以上的下一代高频电路基板的开发，从而期望该基板相较于以往能更进一步降低传输损耗。

一般而言，为了降低传输损耗，理想的是使用例如减小粗面化层的表面凹凸的高低差(表面粗糙度)的表面处理铜箔或未进行粗面化处理的未粗化的平滑铜箔。另外，为了确保此种表面粗糙度小的铜箔的密接性，理想的是在铜箔与绝缘基板之间形成硅烷偶联剂层，该偶联剂层形成化学键。

在使用所述铜箔来制造高频电路基板时，除所述的密接性及传输特性以外，最近需要进一步考虑回流耐热性。此处，所谓的“回流耐热性”是在制造高频电路基板时所进行的焊料回流工序中的耐热性。所谓的焊料回流工序是在使糊状的焊料附着于电路基板的配线与电子零件的接点的状态下，通过回流炉进行加热而软钎焊接合的方法。近年来，就减轻环境负荷的观点而言，用于电路基板的电接合部的焊料正在向无铅(Pb)化发展。与以往的焊料相比，无铅焊料的熔点高，在应用于焊料回流工序的情形时，电路基板会暴露于例如260℃左右的高温，因此与使用以往的焊料的情形相比，需要具备高度的回流耐热性。因此，特别是针对用于此种用途的铜箔，使其确保与绝缘基板的充分的密接性且兼具高度的回流耐热性与传输特性已成为新课题。

本申请人在例如专利文献1中提出了一种方法，其使用氢氧化钾溶液在热塑性树脂膜表面形成微细的凹凸，之后依序进行无电镀铜与电镀铜而形成具有微细的凹凸的铜层，所述微细的凹凸起因于热塑性树脂膜的表面形状，由此来制作作为传输特性与密接性优异的电路基板的覆盖有金属的层叠体。然而，本申请人之后进一步反复研究专利文献1中记载的发明，结果得知：有时无法充分地获得回流耐热性，因而有待改善。