[发明专利]表面处理铜箔及使用其制造而成的覆铜层叠板

权利要求书

1.一种表面处理铜箔，其在铜箔基体上设置粗面化层而成，其特征在于，

所述粗面化层具有多个粗化粒子，所述粗面化层的表面构成为凹凸表面，在与所述铜箔基体的表面正交的剖面，沿所述粗面化层的凹凸表面而测定的沿面长度Da相对于沿所述铜箔基体的表面而测定的沿面长度Db之比Da/Db处于1.05至4.00的范围，所述凹凸表面的凹凸的平均高低差H处于0.2至1.3μm的范围，所述凹凸表面具有颈缩形状，进而在所述粗面化层上直接地或介隔中间层地具有以0.0003至0.0300mg/dm²的硅烷附着量而形成的硅烷偶联剂层。

2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，

所述沿面长度Da与所述沿面长度Db之比即Da/Db处于1.05至3.20倍的范围，所述凹凸的平均高低差H处于0.2至0.8μm的范围，并且在使铜箔与绝缘基板层叠时，在所述铜箔基体上的垂直于所述铜箔的制造方向的方向即任意选择的宽度方向上的直线上，所述粗面化层与绝缘基板的界面的气泡数量是每2.54μm的长度为2个以下。

3.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，

所述沿面长度Da与所述沿面长度Db之比即Da/Db处于1.05至1.60倍的范围，所述凹凸的平均高低差H处于0.2至0.3μm的范围，并且在使铜箔与绝缘基板层叠时，在所述铜箔基体的垂直于所述铜箔的制造方向的方向即任意选择的宽度方向上的直线上，所述粗面化层与绝缘基板的界面的气泡数量是每2.54μm的长度为1个以下。

4.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，

所述硅烷偶联剂层的硅烷附着量为0.0005至0.0120mg/dm²。

5.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，

所述中间层由选自含有Ni的基底层、含有Zn的耐热处理层以及含有Cr的防锈处理层中的至少1层构成。

6.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，

所述硅烷偶联剂层由选自环氧系硅烷、氨基系硅烷、乙烯基系硅烷、甲基丙烯酸系硅烷、丙烯酸系硅烷、苯乙烯基系硅烷、酰脲系硅烷、巯基系硅烷、硫化物系硅烷以及异氰酸酯基系硅烷中的至少1种构成。

7.一种覆铜层叠板，其特征在于，

在权利要求1至6中任一项所述的表面处理铜箔的粗面化层侧的面具有绝缘基板。