[发明专利]节点电容的校准方法有效

专利信息
申请号: 201780002330.6 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN110383226B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 罗政 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 节点 电容 校准 方法
【权利要求书】:

1.一种节点电容的校准方法,其特征在于,包括:

对矩阵电容板的至少一条发送通道和至少一条接收通道上的节点电容进行物理校准,以形成基准节点电容;

向所述矩阵电容板的各所述发送通道施加扫描电压,并从各所述接收通道接收各所述节点电容对应的输出电压;

根据各所述基准节点电容的输出电压和各非基准节点电容的输出电压,计算出各所述非基准节点电容的校准系数;其中,电容矩阵中未经物理校准的节点电容为所述非基准节点电容。

2.如权利要求1所述的节点电容的校准方法,其特征在于,所述对矩阵电容板的至少一条发送通道和至少一条接收通道上的节点电容进行物理校准,具体为:

将所述矩阵电容板的至少一条发送通道和至少一条接收通道上的节点电容替换为满足预设精度要求的基准电容。

3.如权利要求1所述的节点电容的校准方法,其特征在于,所述根据各所述基准节点电容的输出电压和各非基准节点电容的输出电压,计算出各所述非基准节点电容的校准系数,具体包括:

对于每个待校准的所述非基准节点电容,选定所述非基准节点电容的三个关联节点电容;其中,三个所述关联节点电容与所述非基准节点电容排列成矩形,且每个所述关联节点电容为所述基准节点电容或者为校准后的所述非基准节点电容;

根据三个所述关联节点电容的输出电压和所述非基准节点电容的输出电压,计算出所述非基准节点电容的校准系数。

4.如权利要求3所述的节点电容的校准方法,其特征在于,所述非基准节点电容的校准系数K(i,j)的计算公式为:

K(i,j)=(Vout(k,j)*Vout(i,m))/(Vout(k,m)*Vout(i,j));

其中,Vout(i,j)为第i条发送通道、第j条接收通道上的所述非基准节点电容的输出电压,Vout(k,j)为第k条发送通道、第j条接收通道上的所述关联节点电容的输出电压,Vout(i,m)为第i条发送通道、第m条接收通道上的所述关联节点电容的输出电压、Vout(k,m)为第k条发送通道、第m条接收通道上的所述关联节点电容的输出电压。

5.如权利要求3所述的节点电容的校准方法,其特征在于,三个所述关联节点电容均为所述基准节点电容。

6.如权利要求2所述的节点电容的校准方法,其特征在于,所述预设精度要求为:所述基准电容的偏差百分比的范围是(-f1,f1),f1为所述基准电容的最大偏差百分比。

7.如权利要求6所述的节点电容的校准方法,其特征在于,所述矩阵电容板上所有的所述基准电容的偏差百分比的范围均是(0,f1),或者所述矩阵电容板板上所有的所述基准电容的偏差百分比的范围均是(-f1,0)。

8.如权利要求6所述的节点电容的校准方法,其特征在于,所述最大偏差百分比f1的值为1%。

9.一种节点电容的校准方法,其特征在于,包括:

提供一块公板,其中,所述公板为根据权利要求1至8中任一项所述的节点电容的校准方法进行校准后的矩阵电容板;

向所述公板的各发送通道施加另一扫描电压,并从各接收通道接收各节点电容对应的输出电压;

向待校准的矩阵电容板的各发送通道施加所述另一扫描电压,并从各接收通道接收各节点电容对应的输出电压;

根据所述公板中的各节点电容的输出电压、所述公板中各所述节点电容的校准系数以及待校准的所述矩阵电容板的各节点电容的输出电压,计算出待校准的所述矩阵电容板的各节点电容的校准系数;其中,所述公板中各所述基准节点电容的校准系数为1。

10.如权利要求9所述的节点电容的校准方法,其特征在于,待校准的所述矩阵电容板的各节点电容的校准系数的计算公式为:

P(i,j)=K(i,j)*Vcom(i,j)/V(i,j);

其中,K(i,j)为所述公板上的第i条发送通道、第j条接收通道上的节点电容的校准系数,Vcom(i,j)为所述公板上的第i条发送通道、第j条接收通道上的节点电容的输出电压;V(i,j)为待校准的所述矩阵电容板的第i条发送通道、第j条接收通道上的节点电容的输出电压。

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