[实用新型]一种高效节能型P+N沟道驱动电路

说明书

本实用新型公开一种高效节能型P+N沟道驱动电路，包括上桥电路和下桥电路；所述上桥电路包括电阻R30、电阻R34、NPN型三极管Q12、电阻R22、电阻R16、NPN型三极管Q5、PNP型三极管Q8、二极管D4、电阻R27、电阻R13、电容C6、P沟道MOS管U3；所述下桥电路包括电阻R43、电阻R44、NPN型三极管Q18、电阻R41、电阻R37、NPN型三极管Q16、PNP型三极管Q17、电阻R38、电阻R39、二极管D7、N沟道MOS管U6、电容CU1、电阻RU2。本实用新型在上桥电路开通时，将上桥电路电源端输出的上桥开通电压充到下桥电路使用，作为下桥电路的开通能量，高效节能。

技术领域

本实用新型涉及电机驱动领域，尤其涉及一种高效节能型P+N沟道驱动电路。

背景技术

目前，传统的P+N驱动电路普遍存在功耗大、效率低的问题，如图1和图2所示，传统电机驱动中用到的P+N沟道驱动电路的上桥部分包括电阻R33、电阻R34、三极管Q9、电阻R42、电阻R36、PNP型三极管Q8、电阻R37、电阻R6、电阻R17、电容C10、P沟道MOS管U10；下桥部分包括电阻R35、电阻R74、电阻R75、电阻R76、PNP型三极管Q7、电阻R43、NPN型三极管Q16、NPN型三极管Q17、N沟通MOS管U5、电阻RU2及电容CU2。当HV高电平时，三极管Q9导通，若想快速导通P沟道MOS管U10，就需减小电阻R37的阻值，进而其它分压电阻如电阻R6、电阻R17的阻值也要减小，最终导致电阻发热严重，功耗大，能量浪费严重，而且驱动电路的开关频率越高，分压电阻的阻值就要越小，导致功耗就越大，无法同时满足高效率开关和低功耗的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于通过一种高效节能型P+N沟道驱动电路，来解决以上背景技术部分提到的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种高效节能型P+N沟道驱动电路，其包括上桥电路和下桥电路；所述上桥电路包括电阻R30、电阻R34、NPN型三极管Q12、电阻R22、电阻R16、NPN型三极管Q5、PNP型三极管Q8、二极管D4、电阻R27、电阻R13、电容C6、P沟道MOS管U3；所述电阻R30的一端与电阻R34的一端、上桥PWM波输入端HU连接，电阻R30的另一端与NPN型三极管Q12的基极连接，电阻R34的另一端、NPN型三极管Q12的发射极接地，NPN型三极管Q12的集电极连接电阻R22的一端，电阻R22的另一端与电阻R16的一端、PNP型三极管Q8的基极、NPN型三极管Q5的基极连接，PNP型三极管Q8的集电极与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极与电阻R27的一端连接，电阻R27的另一端作为下桥电路电源端与下桥电路连接，电阻R16的另一端与上桥电路电源端、NPN型三极管Q5的集电极、电阻R13的一端、电容C6的一端、P沟道MOS管U3的源极连接，电阻R13的另一端与PNP型三极管Q8的发射极、NPN型三极管Q5的发射极、电容C6的另一端、P沟道MOS管U3的栅极连接；所述下桥电路包括电阻R43、电阻R44、NPN型三极管Q18、电阻R41、电阻R37、NPN型三极管Q16、PNP型三极管Q17、电阻R38、电阻R39、二极管D7、N沟道MOS管U6、电容CU1、电阻RU2；所述电阻R43的一端接工作电源，另一端接下桥PWM波输入端LU、电阻R44的一端，电阻R44的另一端与NPN型三极管Q18的基极连接，NPN型三极管Q18的发射极接地，NPN型三极管Q18的集电极连接电阻R41的一端，电阻R41的另一端连接电阻R37的另一端、NPN型三极管Q16的基极、PNP型三极管Q17的基极，电阻R37的另一端与下桥电路电源端、NPN型三极管Q16的集电极连接，电阻R38的一端与NPN型三极管Q16的发射极、PNP型三极管Q17的发射极、电阻R39的一端连接，电阻R38的另一端与下桥驱动输入端LUO、二极管D7的正极连接，二极管D7的负极与电阻R39的另一端连接，N沟道MOS管U6的漏极与P沟道MOS管U3的漏极连接，N沟道MOS管U6的栅极与电阻RU2的一端、电容CU1的一端、下桥驱动输入端LUO连接，电阻RU2的另一端与电容CU1的另一端、N沟道MOS管U6的源极连接。