[实用新型]一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件有效
| 申请号: | 201721880632.7 | 申请日: | 2017-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN207637802U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
| 发明(设计)人: | 范艾杰;王书昶;孙智江 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管LED 激光二极管LD 阵列器件 发光像素单元 衬底 本实用新型 二极管芯片 发光单元 结合方式 密集排布 使用寿命 微米量级 显示器件 分辨率 发光 | ||
本实用新型涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件,所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元,所述发光像素单元设置在衬底上;在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。本实用新型的优点在于:本实用新型发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件,将发光像素单元和控制单元设置在同一衬底上,与控制单元与发光单元通过bonding结合方式相比,大大降低了工艺精准要求;同时,该结构的设置也能适用于尺寸较小的二极管芯片,特别是微米量级的二极管芯片,从而可提高显示器件的分辨率,进而能够延长发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的使用寿命。
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,特别涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件。
背景技术
发光二极管(LED)因具有高效,节能,尺寸小,寿命长等优点而备受瞩目,目前已在显示领域广泛应用,如室外大面积LED阵列显示屏、小面积OLED超薄柔性显示屏,micro-LED阵列显示器件也被视为OLED显示屏之后又一具轻薄及省电优势的显示技术。
半导体激光二极管(LD)是一种用来构建光通信系统的与光纤配套使用的激光器,因其体积小、结构简单、效率高、能直接调制的特点,它能直接作为光通信用光源,也可以作为激光器、放大器的泵浦源,在激光工程研究领域有着十分重要的地位。同样,由于其小的发光点和敏锐的光谱(其高显色性),其在显示领域也有着广泛应用。
然而不管何种显示技术,都存在各色子像素寿命不一造成的长期使用后显色不准甚至影响使用寿命的问题。
如OLED,其发光层主要由红色荧光材料、绿光材料以及蓝光磷材料三者发光混合,其中一种材料的寿命衰减,就会让整颗OLED像素点失效,但是目前有机发光蓝光磷材料的寿命太短,如何克服此问题,成为从业者必须面对的挑战。OLED在能效和寿命方面还与LED有较大的差距,但目前高分辨率的微LED显示屏制造工艺要比OLED显示屏复杂、困难得多。一块显示屏往往需要数百万乃至上千万的微LED芯片进行排列组装,尤其是对尺寸只有微米量级的LED和与之匹配的控制单元的精确对准、安放等问题,而目前发光二极管(LED)阵列器件中控制单元与发光单元通过bonding结合方式,这种方式对工艺精准要求高,大大增加了工艺难度。同时LED微芯片的尺寸仍然较大,造成显示屏高分辨率不易实现,如何克服这些问题,成为从业者必须面对的挑战。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件,能够降低发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的工艺难度,且能够提高发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的寿命及分辨率。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件,其创新点在于:所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元,所述发光像素单元设置在衬底上;在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。
进一步地,所述发光像素单元由与各发光像素单元一一对应的独立控制单元控制。
进一步地,所述独立控制单元包括存储器和开关。
进一步地,所述发光像素单元由设置在若干个密集排布发光像素单元四周的行与列控制单元控制,且两行控制单元的正负极相反,两列控制单元的正负极相反。
进一步地,所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件中的发光像素单元最小边的长度≥0.1μm,相邻两发光像素单元间距≥0.3μm。
进一步地,所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件中的发光像素单元是由单像素点或多像素点构成的。
进一步地,所述衬底选用蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化镓或氮化铝中的任一种。
本实用新型的优点在于:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





