[实用新型]一种晶圆连续清洗、干燥装置

说明书

本实用新型涉及了一种晶圆连续清洗、干燥装置，其包括：清洗室，用于对晶圆进行清洗；干燥室，用于对晶圆进行干燥，且设置在清洗室的下游；晶圆连续传送机构，其穿越清洗室及干燥室且做循环运动。这样一来，该晶圆连续清洗、干燥装置实现了晶圆清洗、干燥一体化，不但避免了由于晶圆移动位置造成的清洗、干燥工序中断，且避免了工序间晶圆搬运、移位，从而提高了生产效率，降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆连续清洗、干燥装置。

背景技术

在集成电路制造领域，在某些工艺步骤之后，通常会在晶圆表面留下污染物，这些污染物对产品后续工艺的影响非常大。因此，在半导体器件制造过程中，最频繁的工艺步骤就是晶圆清洗。晶圆清洗完成之后，重新放入到干燥机进行干燥，从而造成了清洗、干燥工序中断，间隔时间长，生产效率低的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种结构简单，功能可靠，其使得晶圆进行清洗和干燥过程连续的晶圆连续清洗、干燥装置。

为了解决上述技术问题，本实用新型涉及了一种晶圆连续清洗、干燥装置，其包括：

清洗室，用于对晶圆进行清洗；

干燥室，用于对晶圆进行干燥，且设置在清洗室的下游；

晶圆连续传送机构，其穿越清洗室及干燥室且做循环运动。

本晶圆连续清洗、干燥装置能实现晶圆清洗、干燥一体化，不但避免了由于晶圆移动位置造成的清洗、干燥工序中断，且避免了工序间晶圆搬运、移位，从而提高了生产效率，降低了生产成本。

作为本实用新型的进一步改进，清洗室数量设置为多个，其中包括按顺序依次布置的至少一个有机物清洗室，至少一个无机物清洗室，至少一个去离子水清洗室。

晶圆表面存在有多种不同污染物，如有机物、无机物等，仅仅通过一种清洗液的清洗装置难以做到全面清洗，为了避免上述情况发生，本晶圆连续清洗、干燥装置中设置多个喷射不同清洗液的清洗室，依序排列。

作为本实用新型的进一步改进，在干燥室的顶部和底部均设置有喷气单元。气体通过喷气单元喷向晶圆。

通过在干燥室的顶部和底部设置喷气单元的方式，使得晶圆的正反面均得到干燥，减少了晶圆翻身工序。

作为本实用新型的进一步改进，喷气单元包括加热装置，用于对所述气体进行加热。

通过加热装置对气体进行加热，使得其具有更高的分子动能，从而提高晶圆的干燥速度。

作为本实用新型的进一步改进，气体温度设置在50～60℃之间。

气体温度设置在50～60℃之间，既提高了晶圆干燥速度，又不会使得晶圆热变形量过大，影响产品质量。

作为本实用新型的进一步改进，气体为惰性气体。

气体采用惰性气体，可有效地防止晶圆出现氧化，影响产品质量的现象发生。

作为本实用新型的进一步改进，惰性气体为氮气。

氮气的化学性质稳定，使得晶圆在其氛围不易发生氧化现象，且氮气价格低廉，从而降低了晶圆干燥的生产成本。

作为本实用新型的进一步改进，干燥室的侧壁上设置有温度传感器。

温度传感器可实时地对干燥室腔体内温度进行检测，当温度超过警戒值时，可及时进行人工干涉，防止腔内温度过高，晶圆出现过烧现象。

作为本实用新型的进一步改进，所述温度传感器通过控制器与所述加热装置相连。