[实用新型]半导体微弱漏电流检测仪

说明书

本实用新型提供的半导体微弱漏电流检测仪，包括外壳、以及设置在外壳内的电源电路和多个并联的检测电路；所述电源电路与所述检测电路电连接；所述检测电路包括信号拾取电路、第一检测回路、第二检测回路、或非门电路和输出电路；所述信号拾取电路的输入端与被测元件连接，信号拾取电路的输出端接第一检测回路的输入端，第一检测回路的输出端接或非门电路的一输入端；信号拾取电路的输出端还接第二检测回路的输入端，第二检测回路的输出端接或非门电路的另一输入端；第一检测回路的输出端和第二检测回路的输出端分别与输出电路电连接，可以准确的测量nA级别、pA级别、fA级别的微弱电流，抗干扰能力强。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体涉及半导体微弱漏电流检测仪。

背景技术

目前封装厂的微弱漏电流检测设备测试精度不够，精度只能达到uA级别，也有少数的大型封装厂能达到nA级别。但是，现在的半导体漏电流越做越小，比如ESD(即静电释放)器件只有几个nA，对于这种微弱的电流，目前大型封装厂的微弱漏电流检测设备依然存在两个问题：一是测试量精度不够,二是抗干扰能力差,易受到周边磁场的干扰,导致测试依然存在误测，漏测，测试不准确等问题。

实用新型内容

因此，本实用新型的目的是提供半导体微弱漏电流检测仪，可以准确的测量nA级别、pA级别、fA级别的微弱电流，抗干扰能力强。

本实用新型提供了半导体微弱漏电流检测仪，包括外壳、以及设置在外壳内的电源电路和多个并联的检测电路；所述电源电路与所述检测电路电连接；

所述检测电路包括信号拾取电路、第一检测回路、第二检测回路、或非门电路和输出电路；所述信号拾取电路的输入端与被测元件连接，信号拾取电路的输出端接第一检测回路的输入端，第一检测回路的输出端接或非门电路的一输入端；信号拾取电路的输出端还接第二检测回路的输入端，第二检测回路的输出端接或非门电路的另一输入端；第一检测回路的输出端和第二检测回路的输出端分别与输出电路电连接。

进一步地，所述信号拾取电路包括运算放大器UA2；运算放大器UA2的正极输入端和负极输入端分别接被测元件，运算放大器UA2的输出端通过串联电阻R33输出形成所述信号拾取电路的输出端，信号拾取电路的输出端通过串联电阻R26接运算放大器UA2的负极输入端，电容C30与电阻R26并联。

进一步地，所述第一检测回路包括运算放大器UA1、比较器IC2A、比较器IC2B、比较器IC1B、三极管Q5和三极管Q6；

所述运算放大器UA1的输入端接所述信号拾取电路的输出端；所述运算放大器UA1的输出端接比较器IC2B的同向输入端，比较器IC2B的输出端接比较器IC2A的同向输入端，比较器IC2A的输出端接比较器IC2B的反向输入端，比较器IC2A的输出端还接其反向输入端；

IC2B的输出端接比较器IC1B的同向输入端，比较器IC1B的反向输入端通过分压电阻R13接高电平，还通过分压电阻R25接地，比较器IC1B的输出端接三极管Q5的基级，三极管Q5的集电极通过反接二极管D4接高电平，三极管Q5的发射级接地；

IC1B的输出端还接三极管Q6的基级，三极管Q6的发射级接三极管Q5的基级，三极管Q6的集电极接地，三极管Q6的基级作为第一检测回路的输出端。

进一步地，所述第二检测回路包括运算放大器UA3、比较器IC3A、比较器IC3B、比较器IC1D、三极管Q7和三极管Q8；

所述运算放大器UA3的输入端接所述信号拾取电路的输出端；所述运算放大器UA3的输出端接比较器IC3B的同向输入端，比较器IC3B的输出端接比较器IC3A的同向输入端，比较器IC3A的输出端接比较器IC3B的反向输入端，比较器IC3A的输出端还接其反向输入端；