[实用新型]一种竖直移动式InSb晶片退火装置有效
| 申请号: | 201721762437.4 | 申请日: | 2017-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN207751317U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
| 发明(设计)人: | 郑律 | 申请(专利权)人: | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
| 主分类号: | F27B13/00 | 分类号: | F27B13/00;F27B13/14;F27D5/00;F27D7/06;H01L43/12;H01L43/14 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;李萍 |
| 地址: | 215634 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热炉 晶片 石英管 石英舟 退火装置 竖直移动 保温区 炉腔 内腔 竖直 温区 退火 温度变化数据 本实用新型 方向相对 缓慢移动 退火处理 退火过程 退火环境 加热区 退火区 预热区 预热 热偶 承载 贯通 安置 移动 记录 | ||
本实用新型公开了一种竖直移动式InSb晶片退火装置,其可使多个InSb晶片的退火环境一致。一种加热炉竖直移动式InSb晶片退火装置,包括:加热炉,沿竖直方向依次包括预热区、退火区及保温区三个温区,所述加热炉具有贯通所述三个温区的炉腔;石英管,插设在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿竖直方向相对移动,所述石英管内腔安置有石英舟,用于承载多个自下至上水平放置的InSb晶片,所述石英舟置于所述石英管的内腔底部;该退火装置具有第一工作状态和第二工作状态,在所述第一工作状态时,所述石英管内的石英舟位于所述之预热;在所述第二工作状态时,是通过加热炉的缓慢移动,使所述石英管内的盛载待退火的InSb晶片石英舟逐步依次通过加热区,并最后进入保温区,进而完成退火处理的全部过程,石英舟托底部的热偶将记录在整个退火过程中的全部温度变化数据。
技术领域
本实用新型属于磁阻元件制造领域,具体涉及一种竖直移动式InSb晶片退火装置。
背景技术
采用热蒸发技术制备InSb薄膜晶片是低成本批量生产高灵敏度InSb霍尔与磁阻等磁敏感芯片的主要途径之一,对蒸发后InSb薄膜材料在合适的气氛与温度下进行退火处理,是改善晶片质量,提高晶元性能的重要措施。然而,现有的退火装置难以保证每个InSb晶片的退火环境一致。
发明内容
针对上述问题,本实用新型的目的是提供一种竖直移动式InSb晶片退火装置,其可使多个InSb晶片的退火环境一致。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种竖直移动式InSb晶片退火装置,包括:
加热炉,沿竖直方向依次包括预热区、退火区及保温区三个温区,所述加热炉具有贯通所述三个温区的炉腔;
石英管,插设在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿竖直方向相对移动,所述石英管具有内腔;
石英舟,用于承载多个自下至上叠放的InSb晶片,片与片之间留有1mm左右间距,所述石英舟设于所述石英管的内腔中;
该退火装置具有第一工作状态和第二工作状态,在所述第一工作状态时,所述石英管内的石英舟位于所述预热区之内并具有靠近所述保温区的趋势;在所述第二工作状态时,所述石英管中的石英舟内InSb晶片缓慢通过退火区,并进入保温区。
在一些实施例中,所述加热炉可沿竖直方向移动地设置,所述预热区、退火区及保温区自上至下依次排列。
在一些实施例中,还包括用于驱动所述加热炉上移的驱动装置。
在一些实施例中,所述石英管的内腔底端还设有Sb源,所述石英舟设于所述石英舟的下部并位于所述Sb源的上方。
在一些实施例中,还包括设于所述石英舟底部的测温电偶。
在一些实施例中,还包括:
驱动装置,用于驱动所述加热炉上移;
控制器,和所述测温电偶以及所述驱动装置电连,用于获取所述测温电偶检测的内腔温度数据,并根据获取到的内腔温度数据向所述驱动装置发出调节速率或停止移动的控制信号。
在一些实施例中,所述加热炉为电加热炉,所述退火装置还包括:
电源,用于向所述加热炉供电。
在一些实施例中,所述内腔中充有氩气。
在一些实施例中,所述石英管上设有与所述内腔相通的用于抽真空后向内充氩气的换气口。
在一些实施例中,所述石英舟的上部还设有位于InSb晶片上的石英盖。
本实用新型采用以上方案,相比现有技术具有如下优点:
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