[实用新型]一种肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 201721656132.5 申请日: 2017-12-02
公开(公告)号: CN207925485U 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 刘梦珠 申请(专利权)人: 深圳市嘉兴南电科技有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L23/373
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518102 广东省深圳市宝安区西*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 二极管本体 肖特基二极管 外接板 外侧壁 氮气 本实用新型 可拆卸连接 电性连接 焊接固定 降温组件 外部电源 外部连接 粘接固定 组件包括 二极管 前表面 引脚 拼接 便利
【说明书】:

实用新型公开了一种肖特基二极管,包括本体组件和降温组件,所述本体组件包括二极管本体、引脚和外接板,所述外接板位于所述二极管本体的前表面,且与所述二极管本体焊接固定,所述外接板位于所述二极管本体的外侧壁,且与所述二极管本体粘接固定,所述二极管本体与外部电源电性连接;通过氮气为二极管本体降温,改善二极管容易随着温度升高而急遽变大,进而造成肖特基二极管损坏的问题,因肖特基二极管体积较小,在二极管本体的外侧壁上设置有外接板,因二极管本体和外部连接处通过外接板可拆卸连接,进而把多个二极管本体拼接在一起,改善肖特基二极管体积较小,容易丢失的问题,给使用者带来便利。

技术领域

本实用新型属于二极管技术领域,具体涉及一种肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

原有肖特基二极管,反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,进而造成肖特基二极管损坏,给使用者带来不便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种肖特基二极管,以解决上述背景技术中提出的原有肖特基二极管,反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,进而造成肖特基二极管损坏,给使用者带来不便的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种肖特基二极管,包括本体组件和降温组件,所述本体组件包括二极管本体、引脚和外接板,所述外接板位于所述二极管本体的前表面,且与所述二极管本体焊接固定,所述外接板位于所述二极管本体的外侧壁,且与所述二极管本体粘接固定,所述二极管本体与外部电源电性连接,所述降温组件包括硅胶垫和气囊,所述二极管本体的外侧壁包覆有所述硅胶垫,所述硅胶垫和所述二极管本体粘接固定,所述硅胶垫的内部开设有容腔,所述气囊收容于所述容腔的内部,且与所述硅胶垫固定连接。

优选的,所述本体组件还包括有支架和接触电极板,所述接触电极板位于所述二极管本体的底面,且与所述二极管本体固定连接,所述支架位于所述接触电极板的底面,且与所述接触电极板焊接固定。

优选的,所述二极管本体和外部连接处通过所述外接板可拆卸连接。

优选的,所述引脚数量为两个,所述两个引脚均安装在所述二极管本体的前表面。

优选的,所述二极管本体和外部电路板通过所述引脚插接固定。

优选的,所述气囊内部为氮气。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型的正面盖板且自带轻触按键的指纹识别模组,通过设置本体组件和降温组件,改善二极管容易随着温度升高而急遽变大,进而造成肖特基二极管损坏的问题,在二极管本体的外侧壁包覆有硅胶垫,在硅胶垫的内部设置有气囊,把氮气通入气囊内部,因气体的相对分子质量越小,导热效果越好,氮气为惰性气体,氮气的分子量是二十八,空气是个混合物,平均分子质量是二十九,通过氮气为二极管本体降温,改善二极管容易随着温度升高而急遽变大,进而造成肖特基二极管损坏的问题,因肖特基二极管体积较小,在二极管本体的外侧壁上设置有外接板,因二极管本体和外部连接处通过外接板可拆卸连接,进而把多个二极管本体拼接在一起,改善肖特基二极管体积较小,容易丢失的问题,给使用者带来便利。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为本实用新型的右视结构示意图;

图3为本实用新型中的硅胶垫结构示意图;

图中:10-本体组件、11-二极管本体、12-引脚、13-外接板、14-支架、15-接触电极板、20-降温组件、21-硅胶垫、22-气囊。

具体实施方式

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