[实用新型]一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统

权利要求书

1.一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：第一变压器T1的初级线圈连接电压输入端，所述第一变压器T1的次级线圈连接有串联的待测放电管G和保护电路，所述保护电路的两端连接电压采样电路的采样输入端，所述电压采样电路的输出端连接分压电路；所述次级线圈和所述放电管G之间设有电流互感器L，所述电流互感器L通过电流采样电路连接PLC控制器；所述电压输入端通过第二变压器T2连接所述电压采样电路，所述电压输入端通过第三变压器T3连接所述分压电路；所述分压电路连接所述电流互感器L靠近所述次级线圈的一端，所述分压电路还通过限流电路连接所述电压输入端。

2.根据权利要求1所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述限流电路为多档位限流电路，包括数个并联的限流电阻，每个所述限流电阻串联一个档位开关。

3.根据权利要求1所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述保护电路包括两个反向并联的二极管。

4.根据权利要求1所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述电压采样电路包括两个所述采样输入端，分别记为第一采样输入端和第二采样输入端，所述第一采样输入端设置于所述保护电路靠近所述放电管G的一端，所述第二采样输入端设置于所述保护电路靠近所述次级线圈的一端；所述第二采样输入端经过电阻R6与所述第一采样输入端汇流之后作为所述电压采样电路的采样信号输入端。

5.根据权利要求4所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述采样信号输入端连接两路输出，第一路输出依次经过运算放大器U1和电阻R7连接电压比较器U4的负极输入端，所述电压比较器U4的正极输入端连接所述第二变压器T2的输出端，所述电压比较器U4的输出端连接三极管Q3和发光二极管LED1；

第二路输出依次经过运算放大器U2、反向放大器U3和电阻R8之后连接电压比较器U5的负极输入端，所述电压比较器U5的正极输入端连接所述第二变压器T2的输出端，所述电压比较器U5的输出端连接三极管Q4和发光二极管LED2。

6.根据权利要求5所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述分压电路包括数个可控硅模块，数个所述可控硅模块的可控硅输入端并联，数个所述可控硅模块的可控硅输出端串联。

7.根据权利要求6所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述可控硅模块包括光电耦合器U6和光电耦合器U7，所述光电耦合器U6的输入端连接所述三极管Q4和所述发光二极管LED2，所述光电耦合器U6的输出端连接三极管Q5的基极和集电极；所述光电耦合器U7的输入端连接所述三极管Q3和所述发光二极管LED1，所述光电耦合器U7的输出端连接三极管Q6的基极和集电极；

所述三极管Q5通过电阻R9连接二极管D4的负极端，所述二极管D4的正极端为所述可控硅模块的可控硅模块输入端；所述三极管Q6通过电阻R10连接二极管D3的负极端，所述二极管D3的正极端为所述可控硅模块的可控硅模块输出端；

所述三极管Q5和所述三极管Q6的集电极分别通过一个整流电路连接所述第三变压器T3的输出端；

所述二极管D3和所述二极管D4与所述可控硅模块输入端和所述可控硅模块输出端之间还设有滤波电路。

8.根据权利要求7所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：位于所述分压电路输入端的可控硅模块的可控硅模块输入端连接所述限流电路，位于所述分压电路输出端的可控硅模块的可控硅模块输出端连接所述电流互感器L靠近所述次级线圈的一端；从所述分压电路输入端到所述分压电路输出端之间的各个可控硅模块的可控硅模块输出端与相邻可控硅模块的可控硅模块输入端连接。

9.根据权利要求5所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述第二变压器T2的输出端和所述电压采样电路之间还设有逆变电路，所述逆变电路包括两个二极管、两个三端稳压集成芯片和数个电解电容。

10.根据权利要求1-9任一项所述的一种高压击穿、低压老炼的放电管测试系统，其特征在于：所述电流采样电路包括在所述电流互感器L的线圈和所述PLC控制器之间设置的整流电路G3、电解电容C1和电阻R11。