[实用新型]一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜有效
| 申请号： | 201721506656.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN208026996U | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 孔庆峰;谢海忠;彭效冉 | 申请（专利权）人： | 明德之星（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08 |
| 代理公司： | 北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙) 11583 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层线圈 硅结构层 中心点 镜面 大变形量 电磁驱动 镜面薄膜 低热阻 高响应 偶数层 奇数层 下表面 变形 焊点 本实用新型 连接凸点 中心区域 周边区域 衬底层 第一层 点接触 介电层 封装 排序 互联 外部 覆盖 | ||
1.一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜，包括:
硅结构层(11)；
在硅结构层(11)上形成的多层线圈(16)，每个线圈具有垫点和中心点；
覆盖所述多层线圈(16)的介电层(17)；
在硅结构层(11)的下表面的周边区域中形成的Si衬底层(13)；以及
在所硅结构层(11)上封装所述多层线圈(16)的变形镜面，
其中所述变形镜面包括：
镜面薄膜(32)，以及
在镜面薄膜(32)下表面的中心区域形成的连接凸点(22)；
其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅结构层(11)底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点上以及最后一层线圈的垫点或者中心点上形成有与外部互联的两个焊点。
2.根据权利要求1所述的电磁驱动MEMS变形镜，还包括设置在Si衬底层(13)之下的与多层线圈(16)对应的永磁体。
3.根据权利要求1所述的电磁驱动MEMS变形镜，其中，所述介电层由选自聚酰亚胺、SOG、氧化硅、氮化硅中的材料制成。
4.根据权利要求1所述的电磁驱动MEMS变形镜，其中，所述多层线圈的层数为偶数层。
5.根据权利要求1所述的电磁驱动MEMS变形镜，其中，所述多层线圈的单层厚度为1～200微米。
6.根据权利要求1所述的电磁驱动MEMS变形镜，其中，所述连接凸点的直径为100～800微米，凸点高度为10～100微米。
7.根据权利要求1所述的电磁驱动MEMS变形镜，其特征在于，线圈的形状是圆形或多边形。
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