[实用新型]图像探测器

权利要求书

1.一种图像探测器，其特征在于，包括由多个像素组成的像素阵列，各个所述像素包括：

光电二极管组，包括至少两个首尾相连的光电二极管，所述光电二极管组的第一端连接至第一固定电位；

第一复位晶体管，其栅极连接至第二扫描线，其源极连接至所述光电二极管组的第二端，其漏极连接至第二固定电位；

放大晶体管，其栅极连接至所述光电二极管组的第二端，其漏极连接至外部电源；

输出晶体管，其栅极连接至第一扫描线，其漏极连接至放大晶体管的源极，其源极连接至输出信号线。

2.如权利要求1所述的图像探测器，其特征在于，各个所述像素还包括至少一个第二复位晶体管，其源极连接到所述光电二极管组中相邻两个光电二极管之间的节点，其漏极连接到第三固定电位上。

3.如权利要求2所述的图像探测器，其特征在于，所述像素内的所有晶体管都为NMOS管或都为PMOS管；所述第二复位晶体管的栅极连接至所述第二扫描线，顺序扫描的结果为，先输出信号电压或信号电流，然后对放大晶体管的栅极电位做复位处理。

4.如权利要求2所述的图像探测器，其特征在于，所述像素内的晶体管中一部分为PMOS管，且其他部分为NMOS管；所述第二复位晶体管的栅极连接至所述第二扫描线，顺序扫描的结果为，先输出信号电压或信号电流，然后对放大晶体管的栅极电位做复位处理。

5.如权利要求1所述的图像探测器，其特征在于，复位后所述光电二极管组中任两个光电二极管的偏置电压的差值将小于平均电压的30％，其中平均电压等于(V_PD-V_DD)/N，其中V_PD为所述第一固定电位，V_DD为所述第二固定电位，N为所述光电二极管组内光电二极管的数目。

6.如权利要求1所述的图像探测器，其特征在于，各个所述光电二极管为PIN型光电二极管；所述PIN型光电二极管的剖视图中包括：

第二导电层，包括各个光电二极管的第二电极；

半导体层，位于所述第二导电层的入射光一侧，所述半导体层包括N型导电的掺杂半导体层、基本不掺杂的本征半导体层和P型导电的掺杂半导体层；所述半导体层至少部分覆盖所述第二电极；

第一导电层，位于所述半导体层的入射光一侧，所述第一导电层包括各个光电二极管的第一电极，各个所述第一电极至少部分覆盖所述半导体层。

7.根据权利要求6所述的图像探测器，其特征在于，在所述图像探测器的剖视图中，各个所述像素还包括：

第二绝缘层，位于所述第二导电层的入射光一侧，所述第二绝缘层部分覆盖所述光电二极管的第二电极；

第一绝缘层，位于所述第一导电层的入射光一侧，所述第一绝缘层上开设有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔连通至一个光电二极管的第一电极，所述第二过孔连通至相邻光电二极管的第二电极；

金属连接层，其通过所述第一过孔和第二过孔连接该第一过孔下的光电二极管的第一电极和相邻光电二极管的第二电极。

8.如权利要求1所述的图像探测器，其特征在于，所述像素还包括至少一条驱动所述放大晶体管的电源线、至少一条向所述光电二极管组施加电压的外部电源线、一条输出信号线、一条复位用扫描线和一条输出用扫描线，其中所述复位用扫描线兼用做下一行像素的输出用扫描线。

9.如权利要求8所述的图像探测器，其特征在于，所述图像探测器中各像素的所有电源线和所有信号线平行排列，并和所有扫描线呈垂直相交。

10.如权利要求8所述的图像探测器，其特征在于，所述图像探测器中各像素的所有电源线和所有扫描线平行排列，并和所有信号线呈垂直相交。

11.如权利要求1至10中任一项所述的图像探测器，其特征在于，所述像素内的晶体管为薄膜晶体管，包括采用非晶硅材料、多晶硅材料或铟、镓、锌、锡金属的氧化物材料的半导体薄膜。

12.根据权利要求2至4中任一项所述的图像探测器，其特征在于，所述第一复位晶体管和第二复位晶体管包括两个或两个以上串联连接由多晶硅材料组成的薄膜晶体管。