[实用新型]一种成像系统和一种成像传感器有效
| 申请号: | 201721275753.9 | 申请日: | 2017-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN207338377U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
| 发明(设计)人: | S·伯萨克;U·博提格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李雪;姚开丽 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 成像 系统 传感器 | ||
本实用新型涉及一种成像系统和一种成像传感器。该成像系统可包括流体滤色器元件以增加系统的灵活性。成像系统可包括具有不同滤色器元件流体的多个流体储存室。成像传感器可包括多个独立的滤色器腔室。来自流体储存室的流体可根据需要被引导到特定的滤色器腔室,可选地,可在任何时候将腔室内的滤色器流体改变为不同的滤色器流体。为了使流体移动至流体储存室或从流体储存室移动至滤色器腔室,可使用电润湿。滤色器腔室可介于接地电极和多个图案化电极之间。可将电压施加到图案化电极以使流体移动到腔室内的期望位置。
技术领域
本实用新型大体涉及一种成像系统和一种成像传感器,更具体地涉及具有滤色器元件的成像系统和成像传感器。
背景技术
图像传感器通常用于诸如蜂窝电话、照相机和计算机等的电子装置中以捕获图像。在典型布置中,图像传感器包括以像素行和像素列布置的图像像素阵列。电路可以耦合到每个像素列,以从图像像素读出图像信号。
常规成像像素被固体滤色器元件覆盖。滤色器元件过滤入射光以仅允许所需波长的光到达下面的像素。然而,常规成像像素的固体滤色器元件不灵活。在传感器制成之后,固体滤色器元件不能容易地更改,以实现不同的期望的滤色器元件特性。
因此,期望能够为图像传感器中的滤色器元件提供改进的布置。
实用新型内容
本实用新型提供一种成像系统,所述成像系统包括:多个光电二极管;位于所述多个光电二极管之上的滤色器腔室,其中所述滤色器腔室由介于第一层和第二层之间的壁限定;多个流体储存室,其中每个流体储存室包含相应的流体;介于所述滤色器腔室和所述第一层之间的接地电极;和介于所述滤色器腔室和所述第二层之间的多个电极,其中所述多个电极被施加电压以控制来自所述流体储存室的流体通过所述滤色器腔室的流动。
本实用新型还提供一种成像传感器,所述成像传感器包括:衬底;所述衬底中的多个光电二极管;位于所述衬底上方的玻璃层;介于所述衬底和所述玻璃层之间的壁,其中所述壁限定滤色器腔室;覆盖所述成像传感器中的所有光电二极管的接地电极,其中所述接地电极介于所述壁和所述玻璃层之间;和多个可独立寻址的图案化电极,所述多个可独立寻址的图案化电极介于所述壁和所述衬底之间,其中所述多个可独立寻址的图案化电极被施加电压,以将滤色器流体定位在所述滤色器腔室内。
附图说明
图1是使用根据一个实施方式的图像像素阵列的具有用于捕获图像的图像传感器和处理电路的说明性电子装置的图。
图2是根据一个实施方式的说明性像素阵列和用于从所述像素阵列读出图像信号的相关读出电路的图。
图3是根据一个实施方式的用于电子装置的说明性流体滤色器系统的示意图。
图4是根据一个实施方式的图像传感器的说明性流体滤色器元件的横截面侧视图。
图5是根据一个实施方式的填充有滤色器流体的说明性滤色器腔室的俯视图。
图6和图7是根据一个实施方式的包括以组布置的滤色器元件的说明性滤色器腔室的俯视图。
图8是根据一个实施方式的用电润湿控制的说明性流体滤色器元件的横截面侧视图。
具体实施方式
电子装置,诸如数码相机、计算机、蜂窝电话,以及其他电子装置可包括收集入射光以捕获图像的图像传感器。图像传感器可包括图像像素阵列。在图像传感器中的像素可包括感光元件,如将入射光转换为图像信号的光电二极管。图像传感器可具有任何数量的像素(例如,几百或几千或更多)。典型的图像传感器可具有例如数十万或数百万的像素(例如,百万像素)。图像传感器可包括控制电路,诸如用于操作图像像素的电路和用于读出图像信号的读出电路,其中,该图像信号对应于由感光元件产生的电荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





