[实用新型]薄膜封装结构有效
| 申请号: | 201721267212.1 | 申请日: | 2017-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN207265104U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
| 发明(设计)人: | 洪瑞;张粲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 牛南辉,李峥 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 封装 结构 | ||
1.一种薄膜封装结构,包括:
基板;
位于所述基板上的待封装的部件;
用于封装所述部件的叠层,所述叠层包括交替层叠的有机层和无机层,其中,所述叠层的最外侧层为所述无机层,所述有机层具有朝向所述部件的内表面、与所述内表面相对的外表面以及位于所述内表面与所述外表面之间并在所述基板的位于所述部件周边的区域延伸的端面;以及
位于所述有机层的所述端面与所述基板的表面之间的用于定位所述有机层的限位层,其中,所述有机层具有亲水性和疏水性中的一者以及所述限位层具有亲水性和疏水性中的另一者。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述有机层具有亲水性以及所述限位层具有疏水性。
3.根据权利要求2所述的薄膜封装结构,其中,所述有机层的材料包括环氧树脂、亚克力、聚丙烯酸酯、聚二甲基苯醚、聚丙烯或其组合,所述限位层的材料包括碱金属盐、碱土金属氧化物或其组合。
4.根据权利要求3所述的薄膜封装结构,其中,所述碱金属盐包括LiF、MgCl2、NaCl或其组合,所述碱土金属氧化物包括CaO。
5.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述有机层具有疏水性以及所述限位层具有亲水性。
6.根据权利要求5所述的薄膜封装结构,其中,所述有机层的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯亚胺或其组合,所述限位层的材料包括Al2O3、聚四氟乙烯或聚二甲基硅氧烷或其组合。
7.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述限位层的厚度为50至所述限位层的宽度为100至500μm。
8.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述叠层中最靠近所述部件的层为所述有机层。
9.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述叠层中最靠近所述部件的层为所述无机层。
10.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述叠层还包括位于所述有机层的所述内表面的沿平行于所述基板的表面的方向延伸的部分上的辅助扩展层,
其中,所述辅助扩展层和所述有机层具有亲水性或疏水性。
11.根据权利要求10所述的薄膜封装结构,其中,所述辅助扩展层和所述有机层具有亲水性。
12.根据权利要求11所述的薄膜封装结构,其中,所述辅助扩展层的材料包括Al2O3、聚四氟乙烯、聚二甲基硅氧烷或其组合。
13.根据权利要求10所述的薄膜封装结构,其中,所述辅助扩展层和所述有机层具有疏水性。
14.根据权利要求11所述的薄膜封装结构,其中,所述辅助扩展层的材料包括碱金属盐、碱土金属氧化物或其组合。
15.根据权利要求14所述的薄膜封装结构,其中,所述碱金属盐包括LiF、MgCl2、NaCl或其组合,以及所述碱土金属氧化物包括CaO。
16.根据权利要求10所述的薄膜封装结构,其中,所述辅助扩展层的厚度为50至
17.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其中,所述无机层包括陶瓷材料。
18.根据权利要求17所述的薄膜封装结构,其中所述陶瓷材料包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3或其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





