[实用新型]一种TEOS炉管机台

说明书

本实用新型提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台包括反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件。通过本实用新型提供的TEOS炉管机台，解决了现有TEOS炉管机台存在清理维护耗时长、且容易造成TEOS炉管机台损坏的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种TEOS炉管机台。

背景技术

在半导体制造过程中，采用TEOS(四乙氧基硅烷)炉管机台形成二氧化硅薄膜时，会产生反应副产物；但由于反应腔室的温度较高，在680摄氏度左右，而转换器出口附近的温度较低，在110摄氏度左右，故产生的反应副产物会在转换器出口附近因遇冷凝结，直接堆积在转换器出口的内壁上，因此需要对所述TEOS炉管机台进行定期的清理维护。

由于所述转换器出口的材料为合金，故在对所述TEOS炉管机台进行清理维护时，无法采用酸清洗堆积的反应副产物，只能依靠人力用螺丝刀或铲子之类的工具慢慢清理，但由于堆积在所述转换器出口内壁上的反应副产物硬度较高，极难清理，即使两个人一起也需要18小时左右，不仅浪费人力物力，而且使用工具清理转换器出口，会造成很大的震动，容易对所述TEOS炉管机台内的石英部件造成损坏。

鉴于此，有必要设计一种新的TEOS炉管机台用于解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种TEOS炉管机台，解决了现有TEOS炉管机台存在清理维护耗时长、且容易造成TEOS炉管机台损坏的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台包括：

反应腔室；

安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及

安装于所述转换器出口内的第一保护件。

优选地，所述第一保护件包括第一保护本体，及与所述第一保护本体连接的第二保护本体，其中，所述第一保护本体为圆台型，所述第二保护本体为圆环型。

优选地，所述第一保护本体和第二保护本体的厚度均为2mm～3mm。

优选地，圆台型第一保护本体中小圆的直径为55mm～65mm；圆台型第一保护本体中大圆的直径为75mm～85mm。

优选地，圆环型第二保护本体中的内圆直径为75mm～85mm；圆环型第二保护本体中的外圆直径为90mm～95mm。

优选地，所述第一保护件的材料包括石英、SiC或SiN。

优选地，所述TEOS炉管机台还包括安装于所述转换器出口的连接管路，及安装于所述连接管路一端的冷却装置。

优选地，所述TEOS炉管机台还包括设于所述连接管路内的第二保护件。

优选地，所述第二保护件为中空圆柱型，其厚度为2mm～3mm。

优选地，所述第二保护件的材料包括石英、SiC或SiN。

如上所述，本实用新型的一种TEOS炉管机台，具有以下有益效果：

1、本实用新型通过在所述转换器出口内设置第一保护件，防止反应副产物直接堆积在所述转换器出口内壁上，而是将反应副产物堆积在第一保护件上，使得在后期的清理维护中，直接更换第一保护件，降低了清理维护难度的同时，大大提高了清理维护的时间，将清理维护的时间缩短至13小时，更避免了对TEOS炉管机台造成损坏。

2、本实用新型所述第一保护件及第二保护件可重复利用，减小清理维护成本。

附图说明