[实用新型]一种紫外LED芯片

权利要求书

1.一种紫外LED芯片，其特征在于，包括：

第一衬底；

位于所述第一衬底第一表面的PN结结构，所述PN结结构包括基于所述第一衬底第一表面上排列生长的外延结构，依次包括氮化硅层、N型硅层、P型硅层、P型接触层和薄膜导电层；

位于所述第一衬底第二表面上粘结的倒置后的外延结构，所述外延结构包括位于所述第一衬底第二表面依次排列的反射层、透明导电层、P型氮化镓层、P型氮化镓铝层、电子阻挡层、多量子阱层、电流扩展层和N型氮化镓铝层，部分暴露出的透明导电层表面包括第一区域和P型电极区域，所述P型氮化镓层覆盖所述第一区域，所述P型电极区域表面设置有P型电极；

位于所述N型氮化镓铝层表面设置的N型电极；

所述外延结构的一端具有刻蚀处理后形成的凹凸台面，所述凹凸台面的刻蚀深度从顶部的N型氮化镓铝层开始直到暴露出透明导电层的P型电极区为止；

位于所述凹凸台面内，贯穿所述透明导电层、反射层、第一衬底和氮化硅层的凹槽，所述凹槽基于所述凹凸台面刻蚀这一端的PN结结构形成；

所述凹槽中填充有内部接触层和隔离层，所述外延结构中的P型电极通过所述内部接触层与所述PN结结构中的N型硅层电连接，所述隔离层包裹所述内部接触层四周，以使所述内部接触层的侧壁与所述透明导电层、反射层和第一衬底均绝缘；

连接所述外延结构中N型电极与所述PN结结构中薄膜导电层的外部电极结构。

2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，还包括：

覆盖所述凹凸台面裸露表面的钝化层。