[实用新型]金氧半场效晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件，具体涉及金氧半场效晶体管。

背景技术

金氧半场效晶体管，是金属-氧化物半导体场效应晶体管的简称，其是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。现有金氧半场效晶体管受到硅外延层结构图形偏移的影响，其击穿电压较低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有金氧半场效晶体管受到硅外延层结构图形偏移的影响，其击穿电压较低，目的在于提供金氧半场效晶体管，避免外延层产生图形漂移影响击穿电压。

本实用新型通过下述技术方案实现：

金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，其中，两个N区分别设置在P区的上表面的两端，两个N区和一个P区整体构成方形结构；所述二氧化硅绝缘层设于两个N区以及P区的上方；所述栅极设置在两个N区之间的P区上侧的二氧化硅绝缘层顶部；所述源极穿过其中一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；所述漏极穿过另外一个N区上侧的二氧化硅绝缘层与下侧的N区连通；所述P区上端面正对氧化硅绝缘层的部位向下凹陷形成定位凹槽，所述二氧化硅绝缘层下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，所述等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，所述外延片嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配。

金氧半场效晶体管的衬底和外延层之间图形的任何横向位移叫做图形漂移，图形漂移的主要原因是结晶学平面生长速率的各向异性，这个结晶学平面受二氧化硅绝缘层与方形结构的约束，如果产生图形漂移，击穿电压就会降低，使得金氧半场效晶体管性能下降。现有技术中的金氧半场效晶体管中设置的外延片的大小与二氧化硅绝缘层的横截面几乎相等，外延片直接作为一层结构叠放在二氧化硅绝缘层与方形结构之间，这样外延片受到的约束就很小，就很有可能产生图形漂移；本实用新型减小外延片的使用面积，使外延片仅仅限制在P区与二氧化硅绝缘层接触的表面上，可以节约外延片的材料投入，提高外延片的有效使用面积；本实用新型通过等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内，使得外延片形成有两个弯折角的形状，这样外延片的约束范围仅仅是在二氧化硅绝缘层与方形结构之间的空腔中，可以有效避免外延片出现图形漂移的情况。

进一步地，所述二氧化硅绝缘层与N区接触的表面之间设置有多个二氧化硅限位柱。通过设置二氧化硅限位柱，可以避免二氧化硅绝缘层与N区之间产生相对位移，从而避免了二氧化硅绝缘层与P区之间的空腔产生形变，进而避免了外延片产生图形漂移。

进一步地，二氧化硅限位柱为直径为1mm以下的圆柱。由于金氧半场效晶体管体积较小，N区的体积大小决定了金氧半场效晶体管导通性能的优劣，将二氧化硅限位柱的直径限定在1mm以下，可以避免N区体积的占用，防止金氧半场效晶体管导通性能变差。

进一步地，二氧化硅绝缘层与N区接触的表面各自设置有与二氧化硅限位柱相适应的限位孔，二氧化硅限位柱的两端分别嵌入二氧化硅绝缘层的限位孔以及N区的限位孔中。限位孔便于安装二氧化硅限位柱。

进一步地，外延片的厚度为2μm～15μm。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本实用新型减小外延片的使用面积，使外延片仅仅限制在P区与二氧化硅绝缘层接触的表面上，可以节约外延片的材料投入，提高外延片的有效使用面积；

2、本实用新型通过改变二氧化硅绝缘层与P区接触的面积的形状，使得外延片形成有两个弯折角的形状，这样外延片的约束范围仅仅是在二氧化硅绝缘层与方形结构之间的空腔中，可以有效避免外延片出现图形漂移的情况，从而提高击穿电压。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-栅极，2-源极，3-漏极，4-二氧化硅绝缘层，5-N区，6-P区，8-二氧化硅限位柱，9-外延片。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例