[实用新型]晶片载具有效
申请号: | 201721083105.3 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN207265023U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 林博文 | 申请(专利权)人: | 凯乐士股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司11214 | 代理人: | 黄超,周春发 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种载具,特别是有关于一种具有平坦的承载面,可提供晶片设置的晶片载具。
背景技术
如图1及图2所示,其为习知的晶片载具100,该晶片载具100的顶面形成有复数个槽穴101,晶片300则可设置于该槽穴101中以进行长膜、蚀刻、加热处理等各种制程。
然而,如图1所示,习知的晶片载具100的顶面透过钻石刀具200以CNC立铣加工的方式来形成可用以固定晶片300大小的槽穴101,在如此受限的空间中,槽穴101用以提供晶片300置放的底面1011的平面度很难达到5μm以下,如此一来,平面度在小于1μm以内的晶片300将无法伏贴于槽穴101的底面1011,如图2所示,甚至可能晶片300仅有数点与槽穴101的底面1011接触,这将影响晶片300在后续进行各种制程的作业成败。例如,若该晶片载具100承载图案化蓝宝石基板(Patterned Sapphire Substrate,PSS)晶片以进行长膜加工制程时,由于槽穴101底面1011的凹凸不平,将使得晶片受热不均匀而影响制程的均匀性和良率。
实用新型内容
本实用新型所解决的技术问题即在提供一种具有平坦的承载面,可提供晶片伏贴设置的晶片载具。
本实用新型所采用的技术手段如下所述。
提出一种晶片载具,其包含:一载体,其顶面经加工形成一平坦承载面;以及至少一固定部,设置于载体的平坦承载面,以致平坦承载面透过至少一固定部形成至少一平坦置放空间以提供一晶片设置。
依据上述技术特征,所述平坦承载面的平面度小于1μm。
依据上述技术特征,所述固定部的高度大于晶片高度的二分之一。
依据上述技术特征,所述固定部烧附设置于载体上。
依据上述技术特征,所述固定部透过一胶层来黏贴设置于载体上。
依据上述技术特征,所述固定部较佳可为一环形凸块。
依据上述技术特征,所述固定部较佳可由复数个弧形凸块环状排列而成。
依据上述技术特征,所述固定部较佳可由复数个凸粒环状排列而成。
依据上述技术特征,所述凸粒较佳可为圆形立方体。
依据上述技术特征,所述凸粒较佳可为三角形立方体。
依据上述技术特征,所述凸粒较佳可为矩形立方体。
依据上述技术特征,所述晶片可为图案化蓝宝石基板(Patterned Sapphire Substrate,PSS)晶片。
依据上述技术特征,所述载体与固定部可采用相同材料制成。
依据上述技术特征,所述载体与固定部可采用相异材料制成。
本实用新型所产生的技术效果:本实用新型的晶片载具的载体顶面先经由平坦化加工后再设置固定部以形成平坦置放空间,如此一来,载体的顶面的平面度与表面粗度可精密控管,使得载体顶面形成平坦承载面后可与晶片的平面度一致,藉此可提供晶片伏贴设置于载体上,让晶片在执行各种制程时可受热均匀或利于执行其它制程。
附图说明
图1为习知技术的晶片载具的第一示意图。
图2为习知技术的晶片载具的第二示意图。
图3为本实用新型的晶片载具的第一实施例的第一示意图。
图4为本实用新型的晶片载具的第一实施例的第二示意图。
图5为本实用新型的晶片载具的第二实施例的示意图。
图6为本实用新型的晶片载具的第三实施例的示意图。
图7为本实用新型的晶片载具的第四实施例的第一示意图。
图8为本实用新型的晶片载具的第五实施例的第一示意图。
图9为本实用新型的晶片载具的第五实施例的第二示意图。
图10为本实用新型的晶片载具的第六实施例的示意图。
图11为本实用新型的晶片载具的第七实施例的示意图。
图号说明:
100 晶片载具
101 槽穴
1011 底面
200 钻头
300 晶片
10 载体
11 平坦承载面
20 固定部
20A 弧形凸块
20B 凸柱
30 平坦置放空间
40 胶层。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造