[实用新型]模拟开关电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及模拟开关电路技术领域，具体而言，涉及一种模拟开关电路。

背景技术

在模拟开关电路中，常常利用MOS管的导通和截止实现电路的开关，图1为相关技术中的一种模拟开关电路，如图1所示，通过I/O口输出的高低电平，控制MOS管Q2的导通和关断，该电路简单，构建成本低，然而，因每款MOS管都有最大耐压值要求，当外部有高峰值脉冲来临时，若超出MOS本身的管耐压范围，会导致MOS管损坏。

针对相关技术中的模拟开关电路中的MOS管容易被高峰值脉冲损坏的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种模拟开关电路，以解决相关技术中的模拟开关电路中的MOS管容易被高峰值脉冲损坏的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的提供了一种模拟开关电路，包括：三极管，所述三极管的基极由输入输出端口I/O口控制输出，所述三极管的发射集与地连接；金属氧化物半导体MOS管，所述MOS管的源极与电源输入端连接，所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极端连通，所述MOS管的漏极与电源输出端连接；第一稳压二极管，一端与所述电源输出端连接，另一端与地连接，其中，所述第一稳压二极管的稳压值与所述MOS管的耐压值相匹配，在所述电源输出端输入峰值脉冲值高于所述第一稳压二极管的稳压值时，所述第一稳压二极管被反向击穿。

进一步地，所述模拟开关电路还包括：第二稳压二极管，一端与所述电源输入端连接，另一端与地连接，其中，所述第二稳压二极管的稳压值与所述MOS管的耐压值相匹配，在所述电源输入端输入峰值脉冲值高于所述第二稳压二极管的稳压值时，所述第二稳压二极管被反向击穿。

进一步地，所述模拟开关电路还包括：第一电阻，一端与所述输入输出端口I/O口连接，另一端与所述三极管的基极连接。

进一步地，所述模拟开关电路还包括：第二电阻，一端与所述电源输入端连接，另一端与所述三极管的集电极连接。

进一步地，所述模拟开关电路还包括：第三电阻，一端与所述MOS管的栅极连接，另一端与所述三极管的集电极连接。

进一步地，所述模拟开关电路还包括：第一电容，一端与所述电源输入端连接，另一端与地连接。

进一步地，所述模拟开关电路还包括：第二电容，一端与所述电源输出端连接，另一端与所述MOS管的漏极连接。

进一步地，所述MOS管的型号为AOD407。

进一步地，所述第一稳压二极管的型号为LBZX84C36LT1G。

进一步地，所述第二稳压二极管的型号为LBZX84C36LT1G。

本实用新型的模拟开关电路，该电路包括：三极管，三极管的基极由输入输出端口I/O口控制输出，三极管的发射集与地连接；金属氧化物半导体MOS管，MOS管的源极与电源输入端连接，MOS管的栅极与三极管的集电极端连通，MOS管的漏极与电源输出端连接；第一稳压二极管，一端与电源输出端连接，另一端与地连接，其中，第一稳压二极管的稳压值与MOS管的耐压值相匹配，在电源输出端输入峰值脉冲值高于第一稳压二极管的稳压值时，第一稳压二极管被反向击穿，解决了相关技术中的模拟开关电路中的MOS管容易被高峰值脉冲损坏的问题。通过电路中的第一稳压二极管的反向击穿特性，保护了MOS管，达到了避免模拟开关电路中的MOS管容易被高峰值脉冲损坏的效果。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是根据本实用新型实施例提供的模拟开关电路的示意图；以及

图2是根据本实用新型实施例提供的可选的模拟开关电路的示意图；

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。