[实用新型]一种晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201720976307.4 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN206976375U | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈奕峰;崔艳峰;陈达明;杨阳;王子港;刘成法;盛赟;皮尔·威灵顿;冯志强;皮亚同·皮·阿特玛特 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池，包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极，所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧，所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域，其特征在于，所述发射极和/或背面场上的金属区域至金属电极之间依次设置有钝化层以及重掺多晶硅层。
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为P型或者N型硅材料制成，所述硅衬底电阻率为0.01～1000Ωcm。
3.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.1～1000埃，带隙宽度为1～10eV。
4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化层为氧化硅、氮化硅或者非晶硅中的一种材料制成。
5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述重掺多晶硅层的掺杂类型与发射极和/或背电场的掺杂类型相同。
6.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述重掺多晶硅层的厚度为1～10000nm，带隙宽度为1.1～2eV。
7.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述重掺多晶硅层与金属电极之间设置有富含氢元素的薄膜层，所述薄膜层的厚度为0.1～10000nm。
8.如权利要求7所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述薄膜层为氮化硅、氧化硅或者氧化铝中的一种材料制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
