[实用新型]一种发光二极管有效
申请号: | 201720966046.8 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN207183309U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 曹玉飞;柯大发;梁友灿;邱智中;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体领域,尤其涉及一种电极位于电流扩展层之下的发光二极管。
背景技术
发光二极管(英文为Light Emitting Diode,简称LED)将电能转化为光能,发光黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外不可见光。与白炽等和氖灯相比,LED具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且方便调节发光亮度等优点。
常规的LED的结构为:从下至上依次层叠衬底、发光外延层、电流阻挡层、电流扩展层和电极。该结构中电极位于电流扩展层的表面,容易出现电极掉落的现象。
发明内容
一种发光二极管,至少包括一衬底,以及依次位于所述衬底上的发光外延层, 其特征在于:
所述发光外延层上依次设置有电流阻挡层、第一电极和电流扩展层;
所述电流阻挡层包括第一主体部分和连接于第一主体部分的呈条状的第一延伸部分;
所述第一电极包括位于所述第一主体部分表面的第二主体部分和连接于所述第二主体部分的位于第一延伸部表面的第二延伸部分。
所述电流扩展层上具有一与所述第二主体部分对应的窗口,露出所述第二主体部分,所述第二主体部分的顶面低于所述电流扩展层的顶面,所述电流扩展层完全覆盖或部分覆盖所述第二延伸部分。
优选的,所述电流扩展层覆盖所述第二主体部分的外周,露出所述第二主体部分的中间部分,供打线使用。
优选的,所述电流阻挡层为二氧化硅层、碳化硅层或氮化硅层。
优选的,所述电流阻挡层为Hf金属层或Ta金属层。
优选的,所述电流阻挡层为HfO层或TaO层。
优选的,所述第一电极由下至上依次包括欧姆接触层、高反射金属层、防金属迁移层和导电层。
优选的,所述电流扩展层表面还具有钝化层,所述钝化层具有与所述窗口位置对应的开口,露出所述第二主体部分,以便打线。
优选的,所述电流阻挡层与第一电极的形状一致。
优选的,所述外延层具有一台阶,所述台阶上具有第二电极,所述第一电极和第二电极注入电流后,电流由所述第二主体部分沿第二延伸部分进入电流扩展层,经扩展后的电流注入发光外延层,使所述发光外延层发射光线。
本实用新型将第一电极设置于电流扩展层之下,部分第一电极由电流扩展层覆盖,因此可以减小电极掉落的几率;在第一电极下方设置与其形状一致的电流阻挡层,迫使注入第一电极的电流沿其第二延伸部分进入电流扩展层进行扩展,因此可以实现电流扩展层的电流扩展功能。因此,本实用新型可以在不影响电流扩展的前提下,减小电极掉落的几率。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。此外,附图数据是描述概要,不是按比例绘制。
图1为本实用新型之发光二极管主视结构示意图。
图2为本实用新型之发光二极管俯视结构示意图。
附图标注:10.衬底;20.发光外延层;30.电流阻挡层;31.第一主体部分;32.第一延伸部分;40.第一电极;41.第二主体部分;42.第二延伸部分;50.电流扩展层;51.窗口;60.钝化层;61.开口;70.第二电极。
具体实施方式
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