[实用新型]一种晶闸管的铝蒸发装置

说明书

本实用新型公开了一种晶闸管的铝蒸发装置，其特征在于，包括第一坩埚、第二坩埚，所述第一坩埚为中空的腔体结构，所述腔体的底部为密封的结构，所述腔体的相对的侧壁上分别设置有所述第一腔体内两侧设置有进水口和出水口，所述腔体的顶部向腔体的底部凹陷形成第二坩埚的放置空间。采用本实用新型，降低能量损耗,提高了蒸发效率。

技术领域

本实用新型涉及晶闸管技术领域，尤其涉及到一种晶闸管的铝蒸发装置。

背景技术

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极:阳极，阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管的制备方法有金属铝的蒸发涂覆工艺, 目前晶闸管芯片的铝蒸发装置，主要是将铝源放置在铜制的坩埚内，然后采用10KV的高速电子束轰击熔融，使固态的铝变成汽态，铜制的坩埚的空腔内盛装有冷却水。由于现有铝源直接放置在盛有冷却水的铜制坩埚内，导致了在蒸发过程中，加热电源功率15KW加到85%，蒸发速率只有10埃/秒左右，蒸发时间长达8.5H左右，效率低下，金属膜质量差，生产成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的提供一种晶闸管的铝蒸发装置，蒸发速率提高到1微米/60秒，高压电源功率（15KW）从原来85%降到30%左右。蒸发30微米铝层厚度原来需要8.5小时而现在只要30分钟左右，蒸发的金属膜质量优良、致密性好，工作效率翻了十几倍，同时极大的节约电能和消耗。

为解决现有技术存在的问题，本实用新型提供一种晶闸管的吕蒸发装置，该装置包括：第一坩埚、第二坩埚，所述第一坩埚为中空的腔体结构，所述腔体的底部为密封的结构，所述腔体的相对的侧壁上分别设置有所述第一坩埚的进水口和出水口，所述腔体的顶部向腔体的底部凹陷形成第二坩埚的放置空间。

优选的，还包括坩埚支架，所述坩埚支架设置于第一坩埚和第二坩埚之间。

优选的，所述第一坩埚的顶部最高平面与第二坩埚的顶面齐平，所述第一坩埚内盛装有冷却水，所述第二坩埚内盛装有铝源。

优选的，所述第一坩埚呈“凹”字型。

本实用新型的铝蒸发装置设置有两个坩埚，分别为第一坩埚和第二坩埚,其中第一坩埚的空腔内设置盛装有冷却水,第二坩埚设置于第一坩埚向的顶部凹陷部分,减少热量传导损耗，提高了蒸发速率;另外还可以将第二坩埚放置在坩埚架上,进一步较少了热量的损耗,极大的提高了蒸发速率。

附图说明

图1是本发实用新型一种晶闸管的铝蒸发装置的一种实施例的示意图。

图中：

1.第一坩埚，2.第二坩埚，3.坩埚支架，11.腔体，12.进水口，13.出水口，21.铝源。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细说明。

参考图1，该图是本实用新型一种晶闸管的铝蒸发装置的一种实施例的示意图，该装置包括：包括第一坩埚1、第二坩埚2以及坩埚支架3，第一坩埚1为中空的腔体11结构，该腔体11的底部为密封的结构，腔体11的相对的侧壁上分别设置有进水口12和出水口13，腔体11的顶部向腔体的底部凹陷形成第二坩埚2的放置空间。坩埚支架3设置于第一坩埚和第二坩埚之间。

第一坩埚1的顶部最高平面与第二坩埚2的顶面齐平，第一坩埚大体呈“凹”字型，第一坩埚1内盛装有冷却水，冷却水井进水口12流入，出水口13流出，从而实现了冷却水的循环。