[实用新型]掩膜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体器件制备过程中使用的掩膜板。

背景技术

请参阅图1，现有技术在制备OLED时，一般先在基板110上制备阳极层122(例如ITO图型层)以及与阳极层电连接的阳极引线层124，然后再制备绝缘层126、隔离柱128、有机材料层(图未示)等各膜层。在所述阳极层122上制备所述有机材料层时，需要使用掩膜板210对所述阳极引线层124进行屏蔽，而掩膜板210会与阳极引线层124直接接触，导致所述阳极引线层124容易被蹭伤，从而使所述OLED出现不良现象。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种不会蹭伤OLED电极引线层的掩膜板。

一种掩膜板，用于基板上OLED器件的制备，所述基板上设置有器件区和设置于所述器件区至少一侧的电极引线区，所述器件区用于设置所述OLED器件，所述电极引线区用于设置与所述OLED器件的电极电连接的电极引线层，所述掩膜板沿其厚度方向设置有相互连接的第一开口和第二开口，所述第一开口与所述器件区相对应，所述第二开口的面积大于所述第一开口且覆盖所述第一开口，所述第二开口与所述第一开口共同形成台阶面，所述台阶面能够覆盖所述电极引线区，所述第二开口的深度大于所述电极引线层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一开口的深度等于或小于所述掩膜板厚度的1/2。

在其中一个实施例中，所述台阶面的形状与所述电极引线区的形状相同。

在其中一个实施例中，所述台阶面的尺寸与所述电极引线区的尺寸相同。

在其中一个实施例中，所述器件区相对的两侧分别设置有所述电极引线区，所述第二开口与所述第一开口在所述相对的两侧分别形成所述台阶面。

在其中一个实施例中，所述基板上设置有多个所述器件区，每一所述器件区的至少一侧均设置有所述电极引线区，所述掩膜板上设置有多个所述相互连接的第一开口和第二开口。

在其中一个实施例中，所述台阶面用于与所述基板形成一用于容纳所述电极引线层的容纳腔。

在其中一个实施例中，所述掩膜板设置有所述第二开口的一面用于与所述基板接触。

在其中一个实施例中，沉积材料通过所述第一开口沉积于所述器件区内。

本实用新型通过设置所述第二开口和所述台阶面，能够使得所述掩膜板与所述基板接触时，所述台阶面与所述基板共同形成一用于容纳所述电极引线层的容纳腔。在所述器件区上沉积有机材料层时，所述容纳腔可以屏蔽所述电极引线层，防止有机材料沉积于所述电极引线层，并且所述台阶面与所述电极引线层之间会形成一间隙，从而使得所述电极引线层不会被所述掩膜板蹭伤。

附图说明

图1为传统掩膜板的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例提供的掩膜板的结构示意图；

图3为本实用新型另一实施例提供的掩膜板的结构示意图；

图4为图3中A处的局部放大图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图2，本实用新型提供一种掩膜板220，用于基板110上OLED器件的制备。所述基板110上设置有器件区112和设置于所述器件区112至少一侧的电极引线区114。所述器件区112用于设置所述OLED器件，所述电极引线区114用于设置与所述OLED器件的电极电连接的电极引线层124。

所述掩膜板220沿其厚度方向设置有相互连接的第一开口222和第二开口224。所述第一开口222与所述器件区112相对应。所述第二开口224的面积大于所述第一开口222且覆盖所述第一开口222。所述第二开口222与所述第一开口224可共同形成台阶面。所述台阶面223能够覆盖所述电极引线区114。所述第二开口224的深度大于所述电极引线层124的厚度。