[实用新型]大功率宽带单刀双掷开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频集成电路技术领域，特别是涉及一种大功率宽带单刀双掷开关。

背景技术

在射频集成电路设计中，经常会应用到射频开关，使射频信号能到达不同的支路，尤其在电子对抗领域对于超宽带射频开关的需求日益强烈，但是在大功率工作状态下，现有的开关很难保证良好的损耗。目前宽带开关功率容量较小，插入损耗宽带平坦度较差，不能满足大功率射频开关的需求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种大功率宽带单刀双掷开关，解决宽带开关功率容量小的问题，具有开关功率容量大的特点。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种大功率宽带单刀双掷开关，包括第一支路、第一电容、第一偏置电路、第二支路、第二电容、第二偏置电路、第一端口、第二端口、第三端口、第一控制端口和第二控制端口；

所述第一控制端口输出第一控制信号到所述第一偏置电路，所述第一偏置电路分别连接所述第一支路的一端和所述第一电容的第一端，所述第一支路的另一端和所述第二支路的一端连接所述第三端口，所述第一电容的第二端连接所述第一端口，所述第二支路的另一端分别连接所述第二偏置电路和所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第二端口，所述第二控制端口输出第二控制信号到所述第二偏置电路。

优选地，所述第一支路包括电容C1、电容C2、二极管D1和二极管D2；所述电容C1的第一端分别连接所述电容C2的第一端、所述第三端口和所述第二支路，所述电容C1的第二端分别连接所述第一偏置电路、所述二极管D1的正极、所述二极管D2的正极、所述电容C2的第二端和所述第一电容的第一端，所述二极管D1的负极和所述二极管D2的负极接地。

优选地，所述第一偏置电路包括电感L1和电容C7；所述电感L1的第一端分别连接所述第一支路和所述第一电容的第一端，所述电感L1的第二端分别连接所述第一控制端口和所述电容C7的第一端，所述电容C7的第二端接地。

优选地，所述第二支路包括电容C3、电容C4、二极管D3和二极管D4；所述电容C3的第一端分别连接所述电容C4的第一端、所述第三端口和所述第一支路，所述电容C3的第二端分别连接所述第二偏置电路、所述二极管D3的正极、所述二极管D4的正极、所述电容C4的第二端和所述第二电容的第一端，所述二极管D3的负极和所述二极管D4的负极接地。

优选地，所述第二偏置电路包括电感L2和电容C8；所述电感L2的第一端分别连接所述第二支路和所述第二电容的第一端，所述电感L2的第二端分别连接所述第二控制端口和所述电容C8的第一端，所述电容C8的第二端接地。

优选地，所述二极管D1和所述二极管D2均为裸芯片。

优选地，所述二极管D3和所述二极管D4均为裸芯片。

优选地，所述电感L1为金丝电感。

优选地，所述电感L2为金丝电感。

优选地，所述金丝电感为直径30毫米的金丝制作而成。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本实用新型通过设计一种大功率宽带单刀双掷开关，包括第一支路、第一电容、第一偏置电路、第二支路、第二电容、第二偏置电路、第一端口、第二端口、第三端口、第一控制端口和第二控制端口；第一控制端口输出第一控制信号到第一偏置电路，第一偏置电路分别连接第一支路的一端和第一电容的第一端，第一支路的另一端和第二支路的一端连接第三端口，第一电容的第二端连接第一端口，第二支路的另一端分别连接第二偏置电路和第二电容的第一端，第二电容的第二端连接第二端口，第二控制端口输出第二控制信号到第二偏置电路，通过此设计克服普通宽带开关容量小的问题，此单刀双掷开关具有功率容量大的特点。

附图说明

图1是本实用新型提供一个实施例的原理框图。

图2是本实用新型提供一个实施例的电路原理图。

图3是本实用新型单刀双掷开关插入损耗测试图。

图4是本实用新型单刀双掷开关驻波系数测试图。

图5是本实用新型单刀双掷开关端口隔离测试图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。