[实用新型]一种深紫外LED

说明书

本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴，从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。

技术领域

本实用新型涉及半导体光电子技术领域，尤其涉及一种深紫外LED (Light-Emitting Diode，发光二极管)。

背景技术

基于AlGaN(氮化铝镓)材料的紫外LED是目前氮化物技术发展和第三代材料技术发展的主要趋势，拥有广阔的应用前景。紫外LED应用范围很广，如空气和水的净化、消毒、紫外医疗、高密度光学存储系统、全彩显示器以及固态白光照明等等。半导体紫外光源作为半导体照明后的又一重大产业，已经引起半导体光电行业的广泛关注。

但与蓝光LED不同，目前紫外LED正处于技术发展期，还存在一些难以突破的问题，如AlGaN基紫外LED的内量子效率和发射功率相对较低。

因此，如何提高AlGaN基紫外LED的内量子效率和发射功率成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种深紫外LED，以解决现有技术中深紫外 LED的内量子效率和发射功率较低的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种深紫外LED，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；

位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；

位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；

位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型 AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；

位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型 GaN层。

优选地，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构包括至少一层 Al0.65Ga0.35N层和至少一层AlxGa1-xN层，所述Al0.65Ga0.35N层和所述AlxGa1-xN 层交替叠加，其中，所述Al0.65Ga0.35N层生长在所述多量子阱结构的表面。

优选地，所述AlxGa1-xN层中的x取值范围为：0.3≤x≤0.4。

优选地，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中每层结构的厚度为12.22nm，共110nm。

优选地，所述衬底为C面的蓝宝石衬底。