[实用新型]输出驱动器和驱动装置

说明书

本公开涉及输出驱动器和驱动装置。本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的输出驱动器和驱动装置。所述输出驱动器包括开关设备，所述开关设备具有耦接到电源开关的栅极的第一节点，并下拉所述电源开关的所述栅极的电压电平，以防止过早接通所述电源开关，和耦接到所述开关设备的下拉电路，并阻止接通所述开关设备，以防止过早接通所述电源开关。通过本实用新型，可以获得改进的输出驱动器和驱动装置。

技术领域

本公开涉及集成电路设备，并且更具体地涉及包括输出驱动器电路的集成电路设备。

背景技术

输出驱动器从控制器接收低功率输入信号并产生高功率驱动信号以控制另一电路或另一部件，例如，功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。当在功率MOSFET的漏极处供应高速率的漏极-源极电压(dv/dt)时，在位于功率MOSFET的漏极和栅极之间的栅极-漏极寄生电容上的电压可能导致位移电流从功率MOSFET的漏极流向栅极。位移电流可能导致栅极-源极电压超过功率MOSFET的阈值电压并且导致功率MOSFET的错误接通。

常规的输出驱动器包括下拉电阻器，该下拉电阻器耦接在功率MOSFET的栅极和源极之间，用于解决错误接通问题。该下拉电阻器通常具备低电阻值，例如当功率MOSFET的阈值电压为低时，栅极-漏极寄生电容的值为大，或这两种情况皆有。然而，具有低电阻值的下拉电阻器因泄漏电流而具有较高功耗。

实用新型内容

本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的输出驱动器和改进的驱动装置。

本公开涉及输出驱动器电路。在实施方案中，输出驱动器包括：开关设备，所述开关设备具有耦接到电源开关的栅极的第一节点并下拉该电源开关的栅极的电压电平，以防止过早接通电源开关；和下拉电路，所述下拉电路耦接到所述开关设备并阻止接通所述开关设备，以防止过早接通电源开关。

在实施方案中，开关设备包括耗尽型n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，该耗尽型n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管具有耦接到第一节点的漏极，其中下拉电路在电源开关处于或过渡到通电模式时关断开关设备。

在实施方案中，其中下拉电路包括：控制电路，所述控制电路基于供电电压、第一参考电压和反馈信号生成激活信号；和负电荷泵，所述负电荷泵根据激活信号生成控制信号并将该控制信号输出到开关设备。

在实施方案中，反馈信号是控制信号，并且控制电路包括：第一比较器，所述第一比较器将供电电压与第一参考电压进行比较，以输出第一输入信号；第二比较器，所述第二比较器将反馈信号与第二参考电压进行比较，以输出第二输入信号；和逻辑门，所述逻辑门对第一输入信号和第二输入信号执行逻辑运算，以输出激活信号。

在实施方案中，电源开关在供电电压小于第一参考电压时处于断电模式，并且电源开关在断电模式与通电模式之间的时间间隔处处于中间模式，并且其中通过开关设备防止过早接通电源开关涉及在断电模式和中间模式期间保持电源开关断开。

在实施方案中，逻辑门是逻辑与门，并且其中逻辑门在电源开关处于中间模式时输出指示逻辑高值的激活信号，并且在电源开关处于断电模式或通电模式时输出指示逻辑低值的激活信号。

在实施方案中，开关设备是第一开关设备，并且控制电路包括：第一比较器，所述第一比较器将供电电压和第一参考电压进行比较，以输出第一输入信号；第二开关设备，所述第二开关设备耦接在第二节点和地之间，并接收反馈信号，在第二节点处的电压与第二输入信号对应；电阻器，所述电阻器耦接在供电电压和第二节点之间；和逻辑门，所述逻辑门对第一输入信号的反相版本和第二输入信号执行逻辑运算，以输出激活信号。

在实施方案中，电源开关在供电电压小于第一参考电压时处于断电模式，并且电源开关在断电模式与通电模式之间的时间间隔处处于中间模式，并且其中逻辑门在电源开关处于中间模式时输出指示逻辑低值的激活信号，并且在电源开关处于断电模式或通电模式时输出指示逻辑高值的激活信号。