[实用新型]一种全自动蚀刻清洗装置有效
申请号: | 201720847266.9 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN206877973U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 马卓;吴成福 | 申请(专利权)人: | 信丰迅捷兴电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/02 |
代理公司: | 南昌赣专知识产权代理有限公司36129 | 代理人: | 刘锦霞,张文宣 |
地址: | 341600 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全自动 蚀刻 清洗 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种清洗装置,特别涉及一种全自动蚀刻清洗装置。
背景技术
蚀刻清洗,目的是为了清除芯片表面的氧化物、杂质、油脂、水分等,是完成蚀刻作业中一道重要的工序,传统的蚀刻清洗往往需要人工操作和机器操作结合,会浪费一定的人力物力,并且现今的蚀刻清洗装置往往设计缺乏创新,功能也十分简单,为此,我们提出一种全自动蚀刻清洗装置。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种全自动蚀刻清洗装置,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种全自动蚀刻清洗装置,包括机架、蓄电池和载物板,所述机架顶部安装载物板,所述机架底部一侧设有蓄电池,所述载物板上一侧安装有清洗塔一,所述载物板上另一侧安装有水泵,所述水泵和清洗塔一之间设有清洗塔二,所述清洗塔一内顶部设有超声波清洗腔,所述超声波清洗腔内设有超声波发生器,所述清洗塔一内底部设有压力泵一,所述清洗塔一底部设有冲洗喷头一,压力泵一底部连接冲洗喷头一,所述清洗塔二内底部设有压力泵二,所述清洗塔二底部设有冲洗喷头二,压力泵二底部连接冲洗喷头二,所述水泵一侧通过水管连接有冲洗喷头三,所述载物板下端一侧设有加热腔,所述加热腔内设有红外发生器,所述加热腔一侧设有热风机,所述机架内底部设有蓄水槽,所述蓄水槽与载物板之间通过有传送带,所述冲洗喷头一、冲洗喷头二、冲洗喷头三、加热腔和热风机位于传送带上端。
进一步地,所述传送带上等间距的设有排水孔。
进一步地,所述机架底部设有可制动万向轮。
进一步地,所述水泵、红外发生器、超声波发生器与蓄电池电性相连。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:通过载物板上一侧安装有清洗塔一,可以储存含有甲醇、丙酮的清洗液,这种清洗液可以去除杂质和油脂,通过清洗塔一内顶部设有超声波清洗腔,所述超声波清洗腔内设有超声波发生器,可以利用超声波发生器发出声波,击碎清洗塔内壁的污渍,用于清洗清洗塔十分高效,通过清洗塔一内底部设有压力泵一,清洗塔一底部设有冲洗喷头一,压力泵一底部连接冲洗喷头一,压力泵一工作使冲洗喷头一的冲洗能力大大增强,提高了蚀刻清洗效率,通过载物板上设有清洗塔二,可以储存含有氢氟酸的清洗液,这种清洗液具有清除芯片表面氧化物的作用,同理,通过清洗塔二内底部设有压力泵二,清洗塔二底部设有冲洗喷头二,压力泵二底部连接冲洗喷头二,也增强了冲洗喷头二的冲洗能力,提高了蚀刻清洗效率,通过载物板上另一侧安装有水泵,水泵一侧通过水管连接有冲洗喷头三,可以对过滤好的芯片进行清洗,去除其表面的丙酮等清洗液,通过载物板下端一侧设有加热腔,加热腔内设有红外发生器,可以利用红外发热均匀迅速的特点,对清洗好的芯片进行加热烘干,通过加热腔一侧设有热风机,可以吹散芯片上的水汽,加速烘干效率,通过机架内底部设有蓄水槽,可以收集废弃的清洗液,通过蓄水槽与载物板之间通过有传送带,冲洗喷头一、冲洗喷头二、冲洗喷头三、加热腔和热风机位于传送带上端,可以利用传送带大批量的进行蚀刻清洗,十分高效。该种全自动蚀刻清洗装置,通过合理设置超声波清洗腔、加热腔、传送带、清洗塔一、清洗塔二等结构,具有了清洗方便、烘干迅速、自动化程度高等优点,设计新颖合理,适合广泛推广。
附图说明
图1为本实用新型全自动蚀刻清洗装置的整体结构示意图。
图2为加热腔的内部结构示意图。
图中:1、机架;2、载物板;3、压力泵一;4、冲洗喷头一;5、压力泵二;6、冲洗喷头二;7、清洗塔一;8、清洗塔二;9、超声波清洗腔;10、超声波发生器;11、水泵;12、热风机;13、加热腔;14、蓄电池;15、可制动万向轮;16、蓄水槽;17、传送带;18、红外发生器;19、冲洗喷头三。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造