[实用新型]一种电子元件生产的离子注入装置有效

专利信息
申请号: 201720725315.1 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN206961791U 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 徐月苗 申请(专利权)人: 诸暨越博企业管理咨询有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/14;H01J37/20;H01J37/09
代理公司: 濮阳华凯知识产权代理事务所(普通合伙)41136 代理人: 王传明
地址: 311800 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子元件 生产 离子 注入 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电子元件生产设备技术领域,具体为一种电子元件生产的离子注入装置。

背景技术

离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并最终停留在固体材料中的这一现象。

申请号为201521074217.3,名称为离子注入装置的实用新型专利,包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板,质量分析单元设置于离子束发射方向上,且质量分析单元的入口与离子束相对,对射入质量分析单元进行分选,质量分析单元的侧壁上还设置有分析狭缝,离子束经过分选后射出质量分析单元;遮挡单元设置于质量分析单元上,且与分析狭缝共处于同一侧壁上,遮挡单元可紧贴侧壁移动,能够遮挡经由分析狭缝射出的离子束;基板设置于与分析狭缝相对的位置;本实用新型的离子注入装置通过在质量分析单元的分析狭缝处设置遮挡单元,来调整射出分析狭缝的离子束的宽度,从而调整射出分析狭缝的离子束剂量,从而实现了连续离子注入过程中对注入剂量进行自动调整。

但是目前很多的电子元件在进行离子注入加工的时候,很多的晶片容易注入过多的离子,而且离子的分散不均匀,因此设计了一种电子元件生产的离子注入装置。

实用新型内容

为了克服现有技术方案的不足,本实用新型提供一种电子元件生产的离子注入装置,通过对离子注入装置进行结构改进,利用磁镜来稳定离子束,使得离子在注入过程中更加均匀稳定,采用晶片夹具来夹持晶片,使得晶片能够稳定接收离子束,避免离子注入过程中晃动带来的偏差,晶片夹具上的遮挡板位置可调,可实现均匀的注入分布,值得推广。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种电子元件生产的离子注入装置,包括离子源,所述离子源上端安装有离子喷枪,所述离子源上端连接有离子通道,所述离子通道上设置有离子过滤孔隙,所述离子过滤孔隙右端设置有聚焦器,所述聚焦器右端设置有磁镜,所述磁镜右端连接有离子加速器,所述离子加速器内设置有晶片夹具;

所述晶片夹具包括基板,所述基板内设置有晶片插槽,所述基板内设置有若干个遮挡凹槽,所述遮挡凹槽内插入遮挡板,所述遮挡板与遮挡凹槽可拆卸连接。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述聚焦器右端设置有两个静电偏转器,所述静电偏转器相互平行设置。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述离子通道内设置有折射段,所述折射段为圆弧形结构。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述聚焦器内部设置有四个聚焦磁铁。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述晶片插槽内部设置有硅胶垫片,所述硅胶垫片上设置有防滑纹路。

作为本实用新型一种优选的技术方案,所述基板下端设置有旋转轴。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过对离子注入装置进行结构改进,利用磁镜来稳定离子束,使得离子在注入过程中更加均匀稳定,采用晶片夹具来夹持晶片,使得晶片能够稳定接收离子束,避免离子注入过程中晃动带来的偏差,晶片夹具上的遮挡板位置可调,可实现均匀的注入分布,值得推广。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型晶片夹具结构示意图。

图中:1-离子源,2-离子喷枪,3-离子通道,4-离子过滤孔隙,5-聚焦器,6-磁镜,7-离子加速器,8-晶片夹具,9-基板,10-晶片插槽,11-遮挡凹槽,12-遮挡板,13-静电偏转器,14-折射段,15-聚焦磁铁,16-硅胶垫片,17-防滑纹路,18-旋转轴。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

实施例:

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