[实用新型]硅异质结太阳电池

权利要求书

1.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：

n型晶硅衬底；

第一轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的上表面；

重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层设置在所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层的上表面；

第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层设置在所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的上表面；

第二轻掺杂n型氢化非晶硅层，所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层设置在所述n型晶硅衬底的下表面；

重掺杂n型氢化非晶硅背场层，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层设置在所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的下表面；

第二透明导电氧化物层，所述第二透明导电氧化物层设置在所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的下表面；

多个金属栅线电极层，所述多个金属栅线电极层间隔设置在所述第一透明导电氧化物层的上表面和所述第二透明导电氧化物层的下表面。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述n型晶硅衬底为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底，所述n型晶硅衬底的掺杂浓度为10¹⁵～10¹⁹/cm³，所述n型晶硅衬底的厚度为50～200μm。

3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层、所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂气体分别独立地包括选自磷化氢或砷化氢中的至少之一。

4.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为10⁸～10¹⁷/cm³，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度为1～15nm。

5.根据权利要求4所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的掺杂浓度为10¹⁵～10¹⁷/cm³，所述第一轻掺杂n型氢化非晶硅层和所述第二轻掺杂n型氢化非晶硅层的厚度为3～15nm。

6.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的掺杂浓度为10¹⁶～10¹⁹/cm³，所述重掺杂n型氢化非晶硅背场层的厚度为5～25nm。

7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂气体包括选自硼烷、乙硼烷、三甲基硼烷和三氟化硼中的至少之一。

8.根据权利要求6所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的掺杂浓度为10¹⁶～10²¹/cm³，所述重掺杂p型氢化非晶硅发射极层的厚度为5～25nm。

9.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层和所述第二透明导电氧化物层的厚度为50～300nm。

10.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述金属栅线电极层包括Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Cr、Al、Mg、Ta、Sn、Zn、Ag、P中的至少之一所形成的合金，

或者，所述金属栅线电极层包括Ag或Ag的合金。

11.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池，其特征在于，所述金属栅线电极层的厚度为2～100μm。