[实用新型]一种红外高功率发射管支架

说明书

技术领域

本实用新型涉及红外发射管组件技术领域，具体涉及红外发射管支架。

背景技术

现在市面上使用的红外高功率发射管支架包括正极支架和负极之架，其中负极支架上往往设置有深杯，用以放置红外发射管晶片，杯深一般都在0.5mm以上，这样的深杯在随着工作时间的增加，内应力增大，导致芯片损坏。

实用新型内容

基于现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种红外高功率发射管支架，有效解决产品因内部应力过大，损坏芯片。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：

一种红外高功率发射管支架，包括支架主体，所述支架主体包括分立设置的正极支架和负极支架，所述负极支架内侧与所述负极支架一体成型有深杯，所述正极支架与放置在深杯中晶片的正极连接，晶片的负极与所述深杯连接，所述深杯的底面为平面，杯身为椎体结构，所述深杯的深度为0.4～0.45mm。

进一步的，还包括分别与所述正极支架和负极支架一体成型的正极引脚和负极引脚。

进一步的，所述深杯的下底面直径为0.7mm，上底面直径为1.65mm。

进一步的，所述深杯内壁任意两相对母线的延长线相互垂直。

进一步的，支架主体及所述深杯底层均为铁，铁上从内而外依次覆有第一镍层、第一铜层、第二镍层、第二铜层、第三镍层和银层。

本实用新型的有益效果为：与传统高功率红外发射支架相比，此红外晶片发射功率高且相同工作时间的情况下，大大的提升了产品稳定特性和一致性，同时晶片直接放置在深杯平面底部，晶片更加稳固。

附图说明

图1为本实用新型具体实施例的结构示意图；

图2为本实用新型具体实施例的支架主体的放大结构示意图；

图3为本实用新型具体实施例的深杯俯视结构示意图。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。

如图1、图2和图3所示，一种红外高功率发射管支架，包括支架主体，所述支架主体包括分立设置的正极支架1和负极支架2，所述负极支架2内侧与所述负极支架上端一体成型有深杯3，所述正极支架1与放置在深杯中晶片的正极连接，晶片的负极与所述深杯连接，所述深杯3的底面为平面，杯身为椎体结构，所述深杯3的深度H为0.4～0.45mm。所述深杯的下底面D1直径为0.7mm，上底面D2直径为1.65mm。所述深杯内壁任意两相对母线L的延长线相互垂直。红外高功率发射管支架还包括分别与所述正极支架和负极支架一体成型的正极引脚和负极引脚。

深杯的上底面低于正极支架的顶面h 0.15mm，负极支架底部与负极引脚内侧为平滑的弧形边，正极支架底部与正极引脚内侧也为平滑的弧形边，两弧形边所在圆的半径R为0.25mm。

下表给出了深杯的深度与发射功率及对应的产品经过老化后的数据：

可知，支架深杯的深度在0.4～0.45毫米之间，发射功率最大，且几乎没有老化不良现象。

本实施例与传统高功率红外发射支架相比，在红外晶片发射功率高、相同工作时间的情况下，大大的提升了产品稳定特性和一致性，同时晶片直接放置在深杯平面底部，晶片更加稳固。

支架主体及所述深杯底层均为铁，铁上从内而外依次覆有第一镍层、第一铜层、第二镍层、第二铜层、第三镍层和银层，这样的支架主体和深杯光泽度好。

需要说明的是，以上所述只是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。