[实用新型]硅类双结叠层太阳能电池有效
| 申请号： | 201720682147.2 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN207233748U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吴波;秦崇德;周文远;方结彬 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 孔凡亮 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅类双结叠层 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅类双结叠层太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅P型电池、键合层(8)和Ge子电池，所述Ge子电池通过键合层(8)键合在单晶硅P型电池的背面。
2.根据权利要求1所述的一种硅类双结叠层太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅P型电池包括上电极(12)、钝化膜(11)、第二N+层(10)、第二P型层(9)；
所述上电极(12)设置在钝化膜(11)上，钝化膜(11)设置在第二N+层(10)上，所述第二N+层(10)设置在第二P型层(9)上，第二P型层(9)位于所述键合层(8)正面。
3.根据权利要求1所述的一种硅类双结叠层太阳能电池，其特征在于，所述Ge子电池包括下电极(1)、第一P型层(2)、第一N+层(3)、GaInP层(4)、GaInAs层(5)和隧道结(6)。
4.根据权利要求1所述的一种硅类双结叠层太阳能电池，其特征在于，所述键合层(8)采用点阵Au/Au键合。
5.根据权利要求4所述的一种硅类双结叠层太阳能电池，其特征在于，所述键合层(8)上开有若干圆形或方形空隙，所述空隙内填充有EVA(7)。
6.根据权利要求3所述的一种硅类双结叠层太阳能电池，其特征在于，所述下电极(1)采用Au/Ge/Ni材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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