[实用新型]一种绝对电阻产生电路和芯片

权利要求书

1.一种绝对电阻产生电路，其特征在于，包括：

第一运算放大器，所述第一运算放大器的反相输入端与第一电压源模块相连，所述第一运算放大器的同相输入端与电流源模块相连；所述第一电压源模块提供恒定的第一电压，所述电流源模块提供恒定的电流；

第一MOS管，所述第一MOS管的第一端与所述第一运算放大器的同相输入端相连，所述第一MOS管的控制端与所述第一运算放大器的输出端相连；

第一电阻模块，所述第一电阻模块的一端与所述MOS管的第二端相连；所述第一MOS管的等效电阻和所述第一电阻模块的电阻作为所述绝对电阻产生电路的第一绝对电阻；

当所述第一MOS管为第一PMOS管时，所述第一电阻模块的另一端与第二电压源模块相连，所述电流源模块接地；所述第二电压源模块提供恒定的第二电压；

当所述第一MOS管为第一NMOS管时，所述电流源模块与所述第二电压源模块相连，所述第一电阻模块的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的绝对电阻产生电路，其特征在于，所述第一电阻模块包括第一电阻。

3.根据权利要求1所述的绝对电阻产生电路，其特征在于，还包括：

第二MOS管，所述第二MOS管与所述第一MOS管镜像设置，所述第二MOS管的尺寸与所述第一MOS管的尺寸具有第一预设比例；

第二电阻模块，所述第二电阻模块与所述第二MOS管相连，所述第二电阻模块与所述第一电阻模块镜像设置，所述第二电阻模块的阻值与所述第一电阻模块的阻值具有所述第一预设比例；所述第二MOS管的等效电阻和所述第二电阻模块的电阻作为所述绝对电阻产生电路的第二绝对电阻。

4.根据权利要求3所述的绝对电阻产生电路，其特征在于，所述第二电阻模块包括第二电阻。

5.一种芯片，其特征在于，包括第一电压源模块、第二电压源模块、电流源模块和权利要求1-4中任一项所述的绝对电阻产生电路。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第一电压源模块为带隙基准电压源。

7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第二电压源模块包括：

第二运算放大器，所述第二运算放大器的反相输入端与所述第一电压源模块相连；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源端与电源相连，所述第二PMOS管的控制端与所述第二运算放大器的输出端相连；

第三电阻模块，所述第三电阻模块的一端与所述第二PMOS管的漏端相连，所述第三电阻模块的另一端与所述第二运算放大器的同相输入端相连，所述第三电阻模块的一端和所述第二PMOS管的漏端提供恒定的第二电压；

第四电阻模块，所述第四电阻模块的一端与所述第三电阻模块的另一端相连，所述第四电阻模块的另一端接地。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第三电阻模块包括第三电阻，所述第四电阻模块包括第四电阻。

9.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述电流源模块包括：

第三运算放大器，所述第三运算放大器的反相输入端与所述第一电压源模块相连；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端与所述第二电压源模块相连，所述第三PMOS管的控制端与所述第三运算放大器的输出端相连；

第五电阻模块，所述第五电阻模块的一端与所述第三PMOS管的漏端相连，所述第五电阻模块的另一端接地，所述第三PMOS管的漏端提供恒定的第一电流。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述电流源模块还包括：

第四PMOS管，所述第四PMOS管与所述第三PMOS管镜像设置，所述第四PMOS管的尺寸与所述第三PMOS管的尺寸具有第二预设比例，所述第四PMOS管的漏端提供恒定的第二电流。