[实用新型]一种可控延时重启电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种可控延时重启电路。

背景技术

延时电路在集成电路中的应用非常广泛，精确的延时电路能够改善集成电路的性能。特别是在存储器应用中，对存储单元进行读写等操作时，都需要延时电路实现时序控制。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种可控延时重启电路，为了实现上述目的本实用新型采用如下技术方案：

一种可控延时重启电路，包括继电器(K1B)、第一NPN三极管(Q1)、第二NPN三极管(Q2)以及N沟道MOS管(Q3)；

所述继电器(K1B)的触点接入控制电源，且其控制线圈一端通过第一二极管(D1)与控制电源电连接，另一端与所述第一NPN三极管(Q1)的集电极电连接；所述第一NPN三极管(Q1)发射极接地，基极通过第一电阻(R1)接地，并通过第二电阻(R2)与所述第二NPN三极管(Q2)的发射极电连接；所述第二NPN三极管(Q2)的集电极与控制电源电连接，基极通过第三电阻(R3)、第四电阻(R4)接地；一稳压二极管(D2)的正极电连接于所述第三电阻(R3)、第四电阻(R4)之间，负极通过电解电容(C1)接地，所述电解电容(C1)的正极还通过第五电阻(R5)电连接于控制电源；所述N沟道MOS管(Q3)的源极接地，漏极通过第六电阻(R6)电连接于所述电解电容(C1)与所述第五电阻(R5)之间，栅极与高电平控制端电连接。

优选的，所述N沟道MOS管(Q3)的栅极通过第二电容(C2)接地。

优选的，所述N沟道MOS管(Q3)的栅极通过第七(R7)接地。

优选的，所述N沟道MOS管(Q3)的栅极通过第四二极管(D4)与所述高电平控制端电连接。

优选的，所述N沟道MOS管(Q3)的栅极通过第八电阻(R8)与所述高电平控制端电连接。

优选的，还包括第三二极管(D3)，所述第三二极管(D3)的正极电连接于所述第五电阻(R5)、第六电阻(R6)之间，负极与控制电源电连接。

优选的，还包括跳帽接头，所述跳帽接头的一脚与控制电源电连接，另一脚电连接于所述第一NPN三极管(Q1)、第二NPN三极管(Q2)之间。

本实用新型提供的可控延时重启电路结构简单，能够保证延时电路产生高精度延时。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型的不当限定，在附图中：

图1是本实用新型实施例电路原理图。

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

实施例：

如图1所示，一种可控延时重启电路，包括继电器K1B、第一NPN三极管Q1、第二NPN三极管Q2以及N沟道MOS管Q3；所述继电器K1B采用HF152F-012-1HS，其触点接入控制电源，且其控制线圈一端通过第一二极管D1与控制电源电连接，另一端与所述第一NPN三极管Q1的集电极电连接；所述第一NPN三极管Q1发射极接地，基极通过第一电阻R1接地，并通过第二电阻R2与所述第二NPN三极管Q2的发射极电连接；所述第二NPN三极管Q2的集电极与控制电源电连接，基极通过第三电阻R3、第四电阻R4接地，其中所述第一NPN三极管Q1与所述第二NPN三极管Q2都采用MMBTA42；一稳压二极管D2的正极电连接于所述第三电阻R3、第四电阻R4之间，负极通过电解电容C1接地，所述电解电容C1的正极还通过第五电阻R5电连接于控制电源；所述N沟道MOS管Q3采用SI2300，其源极接地，漏极通过第六电阻R6电连接于所述电解电容C1与所述第五电阻R5之间，栅极与高电平控制端电连接。

通过上述实施例方案，以控制电源的输出接连接器CN2的1脚作为高电平控制端，输出高电平使N沟道MOS管Q3导通，导通后控制电源通过第六电阻R6为电解电容C1充电，再使第二NPN三极管Q2、第一NPN三极管Q1产生电流，从而达到延时控制继电器重启电路的目的。

作为上述实施例方案的改进，还为高电平控制信号整形，包括：

所述N沟道MOS管Q3的栅极通过第二电容C2接地；作为上述实施例方案的改进，所述N沟道MOS管Q3的栅极通过第七R7接地；作为上述实施例方案的改进，所述N沟道MOS管Q3的栅极通过第四二极管D4与所述高电平控制端电连接；作为上述实施例方案的改进，所述N沟道MOS管Q3的栅极通过第八电阻R8与所述高电平控制端电连接。