[实用新型]一种光梯度折射的光电半导体器件有效

专利信息
申请号: 201720631947.1 申请日: 2017-06-02
公开(公告)号: CN206864495U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 石维志;邓玉仓;耿占峰 申请(专利权)人: 光创空间(深圳)技术有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/56
代理公司: 深圳市凯达知识产权事务所44256 代理人: 朱为甫
地址: 518054 广东省深圳市南山区粤海街*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 梯度 折射 光电 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种光梯度折射的光电半导体器件,其特征在于,包括支架、光电半导体芯片、至少一透光层和至少一折射层,光电半导体芯片固定在支架上,透光层采用无机材料改性水玻璃通过填充制成在芯片四周及上方,并固定在支架上;折射层采用低折射硅胶为原料依次叠加覆盖并固定连接在透光层上,透光层与折射层的折射率按梯度逐层降低。

2.如权利要求1所述的光梯度折射的光电半导体器件,其特征在于,所述透光层的折射率大于折射层的折射率,折射层通过加热烘烤的方法进行固化固定在透光层或前一折射层上。

3.如权利要求1所述的光梯度折射的光电半导体器件,其特征在于,所述的光电半导体芯片为蓝光光半导体芯片或者紫外光半导体芯片。

4.如权利要求1所述的光梯度折射的光电半导体器件,其特征在于,所述透光层中分散有荧光材料颗粒,光电半导体芯片的蓝光或者紫外光激发荧光材料颗粒后混合出白光。

5.如权利要求1所述的光梯度折射的光电半导体器件,其特征在于,所述的支架为金属支架或陶瓷支架。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光创空间(深圳)技术有限公司,未经光创空间(深圳)技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720631947.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top