[实用新型]一种低损伤层微倒角的多晶硅片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种低损伤层微倒角的多晶硅片，属于硅片生产技术领域。

背景技术

相对圆倒角晶棒加工：目前圆棒单晶硅棒只需要滚圆，不需要倒角；方型硅棒都需要倒45 度角。

传统机械磨轮倒角加工的硅片，在倒角处存在应力集中点及损伤层，倒角越大，应力集中点越多，损伤层越高。在后续加工过程中倒角与工装发生碰撞的面积增加，导致硅片缺角或破裂。也会造成应力集中区产生隐裂。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提出一种减小倒角处隐裂区的低损伤层微倒角的多晶硅片。

本实用新型为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种低损伤层微倒角的多晶硅片,多晶硅片为矩形,多晶硅片的四角设置有倒角，倒角的轮廓为直线形的倒角边线，多晶硅片的倒角边线的长度为0.1mm-0.5mm，多晶硅片的表面覆盖有EVA胶膜。

上述技术方案的改进是：倒角的角度为45°。

上述技术方案的改进是：多晶硅片的厚度为0.3-0.67mm。

上述技术方案的改进是：EVA胶膜的厚度为0.1-0.9mm。

上述技术方案的改进是：多晶硅片的倒角损伤深度为15um。

本发明的低损伤层微倒角的多晶硅片的加工工艺,包括以下步骤：

（1）使用夹具固定待加工多晶硅片；

（2）调整倒角磨轮间距，倒角磨轮使用砂轮的目数为1000-8000目；

（3）打磨多晶硅片至少四次，制得倒角；

（4）将制得倒角的多晶硅片进行双面磨削；

（5）将多晶硅片进行常规酸洗；

（6）将多晶硅片进行双面抛光；

（7）将多晶硅片进行单面精抛和清洗；

（8）在多晶硅片的表面复合EVA胶膜，制得最终的低损伤层微倒角的多晶硅片。

本发明的低损伤层微倒角的多晶硅片中EVA胶膜的组分的质量百分比为：硅烷偶联剂：1.35-2.56%，交联固化剂：0.85-0.96%，热稳定剂：0.65-0.76%，增粘剂：0.22-0.36%，抗氧剂：0.34-0.45%，紫外线吸收剂：1.46-1.88%，光稳定剂：0.52-0.76%，余量为乙烯-醋酸乙烯的共聚物。

本实用新型采用上述技术方案的有益效果是：

（1）本实用新型的低损伤层微倒角的多晶硅片加工面积小，损伤层小，损伤面积小。切割成的硅片与外界点状接触减小，不易造成破裂；

（2）本实用新型的低损伤层微倒角的多晶硅片相对普通倒角硅片改善倒角处大小，可使得硅片单片面积增加约0.060mm2～0.9375mm2，提高硅片电池端效率；

（3）本实用新型的低损伤层微倒角的多晶硅片由于倒角小，加工量少，延长了倒角磨轮使用寿命；

（4）本实用新型的低损伤层微倒角的多晶硅片的加工工艺,采用多次打磨加工倒角，加工更加精确并且能有效降低硅片的不良率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

图1是本实用新型实施例的低损伤层微倒角的多晶硅片的倒角处的结构示意图；

图2是本实用新型实施例的低损伤层微倒角的多晶硅片的层状结构示意图；

其中：1-硅片；2-倒角；3-EVA胶膜；L-倒角边线；H-倒角损伤深度。

具体实施方式

实施例

本实施例的本实施例的一种低损伤层微倒角的多晶硅片,多晶硅片为矩形,多晶硅片的四角设置有倒角2，如图1所示，倒角2的轮廓为直线形的倒角边线，多晶硅片的倒角边线L的长度为L=0.1mm-0.5mm。多晶硅片的表面覆盖有EVA胶膜3，如图2所示，EVA胶膜3的厚度为0.1-0.9mm。倒角的角度为45°。多晶硅片的厚度为0.3-0.67mm。多晶硅片的倒角损伤深度为H=15um。多晶硅片的最大损伤层面积为7um²。

本发明的低损伤层微倒角的多晶硅片的加工工艺,包括以下步骤：

（1）使用夹具固定待加工多晶硅片；

（2）调整倒角磨轮间距，倒角磨轮使用砂轮的目数为1000-8000目；

（3）打磨多晶硅片至少四次，制得倒角；

（4）将制得倒角的多晶硅片进行双面磨削；

（5）将多晶硅片进行常规酸洗；

（6）将多晶硅片进行双面抛光；

（7）将多晶硅片进行单面精抛和清洗；

（8）在多晶硅片的表面复合EVA胶膜，制得最终的低损伤层微倒角的多晶硅片。

本实用新型不局限于上述实施例。凡采用等同替换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。