[实用新型]开关电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电路技术领域，特别是涉及一种开关电路。

背景技术

三极管开关电路和MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)开关电路是两种场见的开关电路。以MOS开关电路为例，图1示出了MOS开关电路的一种形式，包括两个MOS管。控制信号为高电平时，MOS管Q1导通，MOS管Q2的栅极被拉低，MOS管Q2导通，从而整个MOS开关电路导通。然而，上述MOS开关电路无法控制MOS管Q2的导通时间，从而无法控制整个开关电路的导通时间。

综上所述，传统的开关电路无法控制整个开关电路的导通时间。

实用新型内容

基于此，有必要针对无法控制整个开关电路的导通时间的问题，提供一种开关电路。

一种开关电路，包括：

第一MOS管，第二MOS管，储能元件和开关装置；

所述第一MOS管的漏极分别连接第一外接电源和第二MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的栅极接入控制信号；

所述第二MOS管的源极连接第一外接电源，所述第二MOS管的漏极连接第二外接电源；

所述储能元件跨接在所述第二MOS管的源极和栅极之间，所述开关装置一端连接所述第一MOS管的漏极，另一端分别连接所述储能元件和所述第二MOS管的栅极；

其中，所述第一MOS管为N沟道MOS管，且所述第二MOS管为P沟道MOS管。

一种开关电路，所述第一MOS管替换为第一三极管；

所述第一MOS管的源极对应所述第一三极管的发射极，所述第一MOS管的栅极对应所述第一三极管的基极，所述第一MOS管的漏极对应所述第一三极管的集电极；

其中，所述第一三极管为NPN型三极管，且所述第二MOS管为P沟道MOS管。

一种开关电路，所述第二MOS管替换为第二三极管；

所述第二MOS管的源极对应所述第二三极管的发射极，所述第二MOS管的栅极对应所述第二三极管的基极，所述第二MOS管的漏极对应所述第二三极管的集电极；

其中，所述第二三极管为NPN型三极管。

一种开关电路，包括：

第一MOS管，第二MOS管，储能元件和开关装置；

所述第一MOS管的源极分别连接第一外接电源和第二MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极接地，所述第一MOS管的栅极接入控制信号；

所述第二MOS管的源极连接第一外接电源，所述第二MOS管的漏极连接第二外接电源；

所述储能元件跨接在所述第二MOS管的源极和栅极之间，所述开关装置一端连接所述第一MOS管的源极，另一端分别连接所述储能元件和所述第二MOS管的栅极；

其中，所述第一MOS管为P沟道MOS管，且所述第二MOS管为P沟道MOS管。

一种开关电路，所述第一MOS管替换为第一三极管；

所述第一MOS管的源极对应所述第一三极管的发射极，所述第一MOS管的栅极对应所述第一三极管的基极，所述第一MOS管的漏极对应所述第一三极管的集电极；

其中，所述第一三极管为PNP型三极管，且所述第二MOS管为P沟道MOS管。

一种开关电路，所述第二MOS管替换为第二三极管；

所述第二MOS管的源极对应所述第二三极管的发射极，所述第二MOS管的栅极对应所述第二三极管的基极，所述第二MOS管的漏极对应所述第二三极管的集电极；

其中，所述第二三极管为PNP型三极管。

上述开关电路，当控制信号为高电平时，第一MOS管或第一三极管导通，开关装置断开，储能元件充电，第二MOS管的栅极电平或第二三极管的基极电平上升受储能元件的参数控制，从而能够控制第二MOS管或第二三极管的导通时间，进而控制整个开关电路的导通时间。

附图说明

图1为传统开关电路的示意图；

图2为第一实施例的开关电路的电路图；

图3为第二实施例的开关电路的电路图；

图4为第三实施例的开关电路的电路图；

图5为第四实施例的开关电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例进行说明。

第一实施例

如图2所示，本实施例的开关电路可包括：

第一MOS管Q1，第二MOS管Q2，储能元件C1和开关装置D1；