[实用新型]硅片衰减测试所用常温暴晒装置有效
| 申请号： | 201720559600.0 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN206710550U | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 王少华;张凯胜;姚伟忠 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 衰减 测试 所用 常温 暴晒 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片衰减测试所用常温暴晒装置，包括放置硅片(2)的暴晒台(1)，其特征在于：位于硅片(2)上方设有水平排列的若干根石英玻璃管(3)，所述的石英玻璃管(3)内穿设有红外加热管(4)，石英玻璃管(3)一端密封连接有通入压缩二氧化碳气体的通气管(5)，石英玻璃管(3)另一端设有热风箱(6)，石英玻璃管(3)与热风箱(6)密封连接，石英玻璃管(3)内由红外加热管(4)加热产生的热量随压缩二氧化碳气体通入热风箱(6)内后排出，位于石英玻璃管(3)上方安装有吸收排出石英玻璃管(3)所散发热量的热排风罩(7)。
2.如权利要求1所述的硅片衰减测试所用常温暴晒装置，其特征在于：所述的石英玻璃管(3)具有十根，十根石英玻璃管(3)间隔排列，每根石英玻璃管(3)内穿设有两根红外加热管(4)。
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