[实用新型]一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备有效
申请号: | 201720526048.5 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN206976291U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 何春海;储小飞 | 申请(专利权)人: | 江苏东晨电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司11614 | 代理人: | 王尧 |
地址: | 214205 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 台面 可控硅 表面 二氧化硅 加工 设备 | ||
1.一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于该加工设备为台式,包括控制台(5)、冲洗室(6)、高压水泵(8)和水箱(9),其中,冲洗室(6)内设有载物台(4),载物台(4)上设有冲洗单元和可控硅载片单元,所述的控制台(5)设于台面的一侧,冲洗室(6)设于台面的另一侧,水箱(9)和高压水泵(8)设于台面的下方,所述高压水泵(8)的出水口通过管路与冲洗单元的进水口相连,控制台(5)的控制信号输出端分别连接高压水泵(8)、冲洗单元和可控硅载片单元的对应控制信号输入端,前述可控硅载片单元用于装载可控硅,冲洗单元对可控硅表面的二氧化硅进行冲洗。
2.根据权利要求1所述的一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于所述的冲洗单元包括高压喷头(2)、进水管道(1)和驱动轴(7),所述的高压喷头(2)设于可控硅载片单元的上方,通过进水管道(1)连接高压水泵(8),所述的驱动轴(7)安装在载物台(4)上,其控制信号输入端与控制台(5)的对应控制信号输入端相连,通过驱动轴(7)运转带动进水管道(1)的摆动,实现高压喷头(2)的旋转喷淋。
3.根据权利要求2所述的一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于所述的高压喷头(2)冲洗的压力不低于每平方厘米30公斤。
4.根据权利要求2所述的一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于所述的进水管道(1)上均匀布置若干个高压喷头(2)。
5.根据权利要求1所述的一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于所述的载物台(4)设于冲洗室(6)的中间。
6.根据权利要求1所述的一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于所述的可控硅载片单元包括吸盘(3),吸盘(3)设于载物台(4)的一侧,用于吸附台面可控硅。
7.根据权利要求6所述的一种去除台面可控硅表面二氧化硅的加工设备,其特征在于所述的吸盘(3)与载物台(4)之间设有一旋转台,所述的旋转台的控制信号输入端与控制台(5)的对应控制信号输出端连接,用于在高压喷头(2)冲洗时带动吸盘(3)旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造