[实用新型]一种防止丝网印刷烧结后背电场划伤的顶针网带有效
申请号: | 201720486463.2 | 申请日: | 2017-05-03 |
公开(公告)号: | CN206849852U | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 樊斌 | 申请(专利权)人: | 东方日升(洛阳)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41F15/14 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人: | 王滨生 |
地址: | 471000*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 丝网 印刷 烧结 后背 电场 划伤 顶针 | ||
技术领域
本实用新型涉及丝网印刷烧结炉网带,尤其是一种防止丝网印刷烧结后背电场划伤的顶针网带。
背景技术
现有的烧结炉网带,由于顶针高度较低,相邻两个顶针之间宽度较大,导致网带与单晶硅电池片背电场的接触面积较大,网带在正常运行的过程中,会出现抖动,电池片下表面与顶针上端产生的摩擦系数较大,导致烧结后电池片背电场出现划伤,外观不良,EL测试会在相对应的位置出现黑斑,从而导致单晶硅电池片不良率的大幅度上涨。怎样能够避免电池片被顶针上端划伤成为长期以来难以解决的技术难题。
鉴于上述原因,现研发出一种防止丝网印刷烧结后背电场划伤的顶针网带。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种防止丝网印刷烧结后背电场划伤的顶针网带,减少由于网带抖动造成的电池片与网带顶针之间的摩擦系数,从而达到解决单晶硅电池片烧结后背电场划伤的问题,降低丝网印刷烧结后背铝划伤的比例,提高电池片的合格率。
本实用新型为了实现上述目的,采用如下技术方案:一种防止丝网印刷烧结后背电场划伤的顶针网带,是由:网带、左顶针、右顶针、外底杆、竖杆、斜杆、内底杆构成;网带上表面均匀分布相互平行的至少两对顶针,每对顶针所在平面垂直于网带的上表面,每对顶针互为反方向位于网带纵向中心线的两侧,每对顶针由左顶针和右顶针构成;
左顶针和右顶针的结构相同,左顶针和右顶针的结构均为:竖杆垂直于水平的外底杆的后端,竖杆与外底杆构成直角,斜杆上端与竖杆上端之间构成的夹角为60°,斜杆下端与水平的内底杆的前端对接,斜杆与内底杆构成的夹角为150°,外底杆和内底杆固定在网带上表面,外底杆、竖杆、斜杆和内底杆一体成形,左顶针和右顶针的竖杆的高度为H,H为10.2~10.4mm;
左顶针和右顶针的尺寸不同:左顶针的外底杆前端与内底杆的后端之间的水平间距为L1,L1为70~72mm,右顶针的外底杆前端与内底杆的后端之间的水平间距为L2,L2为53~55mm,左顶针的内底杆的后端和右顶针的内底杆的后端之间的水平间距为L3,L3为79~81mm。
本实用新型的有益效果是:通过增加顶针的高度,减小左顶针或右顶针的宽度,以及每对顶针之间的间距,减少电池片与顶针的接触面积,在单晶硅电池片的生产制造过程中,本实用新型更好的固定电池片在网带运行过程中的位置,减少由于网带抖动造成的电池片与网带顶针之间的摩擦系数,从而达到解决单晶硅电池片烧结后背电场划伤的问题。降低丝网印刷烧结后背铝划伤的比例,提高电池片的合格率。
本实用新型在原有的基础上做了改动,节约了成本;很好的解决了单晶硅电池片丝网印刷烧结后背电场划伤的问题;降低了不良比例,提高了单晶硅电池片的合格率。结构简单、操作方便、生产成本低廉、使用效果显著、适合普遍推广应用。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
图1是总装俯视结构示意图;
图2是图1的平视结构示意图;
图1、2中:网带1、左顶针2、右顶针3、外底杆4、竖杆5、斜杆6、内底杆7。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明:
网带1上表面均匀分布相互平行的至少两对顶针,每对顶针所在平面垂直于网带1的上表面,每对顶针互为反方向位于网带1纵向中心线的两侧,每对顶针由左顶针2和右顶针3构成;
左顶针2和右顶针3的结构相同,左顶针2和右顶针3的结构均为:竖杆5垂直于水平的外底杆4的后端,竖杆5与外底杆4构成直角,斜杆6上端与竖杆5上端之间构成的夹角为60°,斜杆6下端与水平的内底杆7的前端对接,斜杆6与内底杆7构成的夹角为150°,外底杆4和内底杆7固定在网带1上表面,外底杆4、竖杆5、斜杆6和内底杆7一体成形,左顶针2和右顶针3的竖杆5的高度为H,H为10.2~10.4mm;
左顶针2和右顶针3的尺寸不同:左顶针2的外底杆4前端与内底杆7的后端之间的水平间距为L1,L1为70~72mm,右顶针3的外底杆4前端与内底杆7的后端之间的水平间距为L2,L2为53~55mm,左顶针2的内底杆7的后端和右顶针3的内底杆7的后端之间的水平间距为L3,L3为79~81mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的