[实用新型]一种用于CVD静电吸盘的导热片

说明书

技术领域

本实用新型涉及静电吸盘，特别是涉及一种用于CVD静电吸盘的导热片。

背景技术

在以与半导体制造工艺有关的离子注入装置、离子掺杂装置、等离子体浸没装置为代表的、使用了电子束、极紫外线(EUV)光刻等的曝光装置、硅晶片等的晶片检查装置等各种装置等中，为了吸附/保持半导体基板而使用了静电吸盘。另外，在液晶制造领域中，在对玻璃基板等进行液晶的压入时使用的基板层压装置、离子掺杂装置等中，为了吸附/保持绝缘基板而使用了静电吸盘。

导热片是静电吸盘的重要组成部分，其导热效果直接影响静电吸盘的工作性能，如果导热片的导热性能不够，则会导致芯片温度过高，影响二氧化硅的正常沉积。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种用于CVD静电吸盘的导热片，具有良好的导热效果，对芯片上二氧化硅的沉积有积极作用。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下的技术方案：

一种用于CVD静电吸盘的导热片，由碳化层、电介质层、吸附电极层、氮化铝陶瓷层、导热层和硅铝合金腔体组成，硅铝合金腔体内填充有导热脂；硅铝合金腔体的顶部具有若干导热槽，导热层的底部具有若干翅片，翅片位于导热槽内；碳化层、电介质层、吸附电极层、氮化铝陶瓷层和导热层依次粘帖组合。翅片能够插入到硅铝合金腔体上的导热槽内，硅铝合金腔体内具有导热脂，能够快速的将热量吸收，防止电介质层温度过高导致工作运行不稳定。

作为其中一种可实施方式，前述的一种用于CVD静电吸盘的导热片中，碳化层、电介质层、吸附电极层、氮化铝陶瓷层、导热层和硅铝合金腔体均成圆形，电介质层的边沿具有翻边，翻边的底部具有密封条，氮化铝陶瓷层的顶部具有密封槽，密封条位于密封槽内。

作为其中一种较佳的实施方式，前述的一种用于CVD静电吸盘的导热片中，相邻的两个所述翅片之间的距离小于翅片的高度，且大于翅片高度的0.8倍。其中，所述导热层的制作材料可以选用铜，如果翅片间距过长或过短都会影响散热效果，导致热量不能迅速的传递给硅铝合金腔体和其内部的导热脂。

与现有技术相比，本实用新型具有良好的导热效果，对芯片上二氧化硅的沉积有积极作用。导热层具有翅片，翅片能够插入到硅铝合金腔体上的导热槽内，硅铝合金腔体内具有导热脂，能够快速的将热量吸收，防止电介质层温度过高导致工作运行不稳定。

附图说明

图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图。

附图标记：1-翻边，2-密封条，3-密封槽，4-翅片，5-吸附电极层，6-碳化层，7-电介质层，8-氮化铝陶瓷层，9-导热层，10-硅铝合金腔体，11-导热槽，12-导热脂。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的说明。

具体实施方式

本实用新型的实施例1：如图1所示，一种用于CVD静电吸盘的导热片，由碳化层6、电介质层7、吸附电极层5、氮化铝陶瓷层8、导热层9和硅铝合金腔体10组成，硅铝合金腔体10内填充有导热脂12；硅铝合金腔体10的顶部具有若干导热槽11，导热层9的底部具有若干翅片4，翅片4位于导热槽11内；碳化层6、电介质层7、吸附电极层5、氮化铝陶瓷层8和导热层9依次粘帖组合。

实施例2：如图1所示，一种用于CVD静电吸盘的导热片，由碳化层6、电介质层7、吸附电极层5、氮化铝陶瓷层8、导热层9和硅铝合金腔体10组成，硅铝合金腔体10内填充有导热脂12；硅铝合金腔体10的顶部具有若干导热槽11，导热层9的底部具有若干翅片4，翅片4位于导热槽11内；碳化层6、电介质层7、吸附电极层5、氮化铝陶瓷层8和导热层9依次粘帖组合。碳化层6、电介质层7、吸附电极层5、氮化铝陶瓷层8、导热层9和硅铝合金腔体10均成圆形，电介质层7的边沿具有翻边1，翻边1的底部具有密封条2，氮化铝陶瓷层8的顶部具有密封槽3，密封条2位于密封槽3内。