[实用新型]一种用于CVD静电吸盘的导热片有效
| 申请号： | 201720378340.7 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN206650064U | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘国家 | 申请（专利权）人： | 中山市思考电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙)11362 | 代理人： | 郭防 |
| 地址： | 528445 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 cvd 静电 吸盘 导热 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于CVD静电吸盘的导热片，其特征在于，由碳化层(6)、电介质层(7)、吸附电极层(5)、氮化铝陶瓷层(8)、导热层(9)和硅铝合金腔体(10)组成，硅铝合金腔体(10)内填充有导热脂(12)；硅铝合金腔体(10)的顶部具有若干导热槽(11)，导热层(9)的底部具有若干翅片(4)，翅片(4)位于导热槽(11)内；碳化层(6)、电介质层(7)、吸附电极层(5)、氮化铝陶瓷层(8)和导热层(9)依次粘帖组合。
2.根据权利要求1所述的一种用于CVD静电吸盘的导热片，其特征在于，碳化层(6)、电介质层(7)、吸附电极层(5)、氮化铝陶瓷层(8)、导热层(9)和硅铝合金腔体(10)均成圆形，电介质层(7)的边沿具有翻边(1)，翻边(1)的底部具有密封条(2)，氮化铝陶瓷层(8)的顶部具有密封槽(3)，密封条(2)位于密封槽(3)内。
3.根据权利要求1所述的一种用于CVD静电吸盘的导热片，其特征在于，相邻的两个所述翅片(4)之间的距离小于翅片(4)的高度，且大于翅片(4)高度的0.8倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
