[实用新型]薄膜电容器及其电容芯子有效
申请号: | 201720259686.5 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN206726958U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 刘竞泽;徐滢涛 | 申请(专利权)人: | 东莞市国灿电子科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 张艳美,郝传鑫 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 电容器 及其 电容 芯子 | ||
技术领域
本实用新型涉及电容器领域,尤其涉及一种用于PFC主动滤波和直流链接应用的薄膜电容器。
背景技术
目前,应用在电力电子PFC回路的直流主动滤波及新能源逆变器等的直流链接的薄膜电容器的产品容积比较小,存在不利安装的缺陷。而且,该薄膜电容器存在高频等效串联电阻(ESR)较大,在耐高频纹波电流方面的能力不足,使得该薄膜电容器长期工作在苛刻环境及大纹波电流条件下的可靠性存在隐患。因为,有必要提供一种薄膜电容器,具有改善的耐高频纹波电流的能力。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种薄膜电容器及其电容芯子,具有改善的耐高频纹波电流的能力。
为了实现上述目的,本实用新型薄膜电容器的电容芯子由两金属化薄膜层叠后卷绕形成,每一所述金属化薄膜分别包括基膜及形成在所述基膜上的金属镀层,所述基膜一边缘超出所述金属镀层形成有留边部,所述金属镀层包括镀层基部及形成在所述基膜另一边缘的加厚部,所述镀层基部为纯铝材质,所述加厚部为锌铝合金材质,所述两金属化薄膜相互呈反向且错开设置使得所述两金属化薄膜之一的留边部被所述两金属化薄膜之另一的加厚部超出。
与现有技术相比,所述镀层基部采用纯铝材质,有效利用了铝金属的化学特性不活波,在所述薄膜电容器长期工作在湿热苛刻环境下,所述金属镀层仍可以保持稳定性,同时也提升了所述薄膜电容器的介质场强,在相同的耐压下,所述薄膜电容器可以使用更薄的介质厚度,减小了体积及材料成本。通过采用所述加厚部的设计,有效增加了所述电容芯子与所述喷焊层的有效接触面积,提升了所述薄膜电容器的抗脉冲电流冲击的能力,所述薄膜电容器具有更优的过流能力。
较佳地,所述基膜的材质为聚丙烯薄膜,从而可达成耐高温的效果。
较佳地,所述加厚部边缘采用波浪分切工艺形成波浪状,通过波浪状的设计,有效增加了所述电容芯子与所述喷焊层的接触面积及附着力,减少了所述电容芯子与所述喷焊层的接触方阻,提升了所述薄膜电容器耐电流冲击的能力。
较佳地,所述加厚部边缘的波浪波幅在0.15mm-0.4mm之间,波长在1.5mm-5mm之间。
较佳地,所述金属镀层的镀层基部包括位于所述基膜一侧的沿所述基膜的长度方向延伸且与所述加厚部相连的带状部及位于所述基膜另一侧的沿所述基膜的长度方向排列且相间隔的若干镀层单元,若干所述镀层单元挨着所述留边部且分别通过对应的位于所述基膜中间的若干连接窄部连接至所述带状部。在所述薄膜电容器使用时,当某个所述镀层单元出现电弱点击穿时,瞬间的击穿短路电流将连接该镀层单元的所述连接窄部熔断,将该镀层单元与所述金属镀层的其他部分短路隔开,起到保险丝的作用,使得所述薄膜电容器保持正常工作状态;而且,通过所述基膜一侧为所述带状部,另一侧为若干所述镀层单元的设计,不但可以避免全部蒸镀镀层单元而导致产品体积变大,材料成本增加的缺点,也可以防止因此带来的容易出现熔断过于敏感进而造成所述薄膜电容器的容量损失过快的缺点。
具体地,所述带状部与若干所述镀层单元之间形成有沿所述基膜长度方向延伸且相互间隔的若干第一间隙,若干所述第一间隙中部与所述留边部之间连接有将若干所述镀层单元间隔开的若干第二间隙,相邻的所述第一间隙之间形成所述连接窄部。
较佳地,若干所述第二间隙相互平行且呈倾斜设置。
为了实现上述目的,本实用新型的薄膜电容器包括如上所述的电容芯子、形成在所述电容芯子端部的喷焊层及自所述喷焊层引出的电极引脚。
与现有技术相比,所述镀层基部采用纯铝材质,有效利用了铝金属的化学特性不活波,在所述薄膜电容器长期工作在湿热苛刻环境下,所述金属镀层仍可以保持稳定性,同时也提升了所述薄膜电容器的介质场强,在相同的耐压下,所述薄膜电容器可以使用更薄的介质厚度,减小了体积及材料成本。通过采用所述加厚部的设计,有效增加了所述电容芯子与所述喷焊层的有效接触面积,提升了所述薄膜电容器的抗脉冲电流冲击的能力,所述薄膜电容器具有更优的过流能力。
附图说明
图1是本实用新型实施例薄膜电容器的电容芯子的平铺截面示意图。
图2是图1所示的电容芯子的金属化薄膜的平铺片段示意图。
图3是本实用新型实施例的薄膜电容器的示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现的效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市国灿电子科技有限公司,未经东莞市国灿电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720259686.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:GTO缓冲吸收电容器
- 下一篇:高压高频电容器